TO-220AB
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TP65H100G4PS

DigiKey 제품 번호
1707-TP65H100G4PS-ND
제조업체
Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호
TP65H100G4PS
제품 요약
Hi Volt FETs
제조업체 표준 리드 타임
16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 18.9A(Tc) 65.8W(Tc) 스루홀 TO-220AB
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Renesas Electronics Corporation
계열
SuperGaN®
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
18.9A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
110m옴 @ 12A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.1V @ 1.8mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
818 pF @ 400 V
FET 특징
-
내전력(최대)
65.8W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220AB
패키지/케이스
TO-220-3
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재고: 216
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩11,550.00000₩11,550
10₩7,847.20000₩78,472
450₩4,922.89111₩2,215,301
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.
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