단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	8,900 재고 있음	1 : ₩196.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩38.70033 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	190mA(Ta)	5V, 10V	4.5옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW(Ta), 1.33W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	90,757 재고 있음	1 : ₩199.42933 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩38.70033 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	190mA(Ta), 300mA(Tc)	5V, 10V	4.5옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW(Ta), 1.33W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	96,664 재고 있음	1 : ₩211.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩39.34867 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	200mA(Ta)	4.5V, 10V	3.9옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	173,838 재고 있음	1 : ₩275.84136 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩53.14700 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	115mA(Ta)	5V, 10V	7.5옴 @ 50mA, 5V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	45,705 재고 있음	1 : ₩287.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩55.07733 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	380mA(Ta)	5V, 10V	2옴 @ 500mA, 10V	2.5V @ 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	892,219 재고 있음	1 : ₩302.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩60.56633 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	200mA(Ta)	1.2V, 2.5V	1.2옴 @ 100mA, 2.5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	EMT3F(SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	480,295 재고 있음	1 : ₩302.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩58.07300 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	200mA(Ta)	10V	3.5옴 @ 220mA, 10V	1.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	166,278 재고 있음	1 : ₩302.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩59.02800 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	320mA(Ta)	4.5V, 10V	1.6옴 @ 500mA, 10V	2.3V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	277,942 재고 있음	1 : ₩317.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩62.91867 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	260mA(Ta)	4.5V, 10V	2.5옴 @ 240mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW(Tj)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	88,066 재고 있음	1 : ₩317.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩62.89367 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	130mA(Ta)	5V	10옴 @ 100mA, 5V	2V @ 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	160,492 재고 있음	1 : ₩332.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩66.47767 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	200mA(Ta)	0.9V, 4.5V	2.2옴 @ 200mA, 4.5V	800mV @ 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	UMT3F	SC-85
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	55,034 재고 있음	1 : ₩332.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩56.88175 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	100mA(Ta)	1.2V, 4.5V	3.8옴 @ 100mA, 4.5V	1V @ 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VMT3	SOT-723
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	1,170,187 재고 있음	1 : ₩347.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩69.72000 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	115mA(Tc)	5V, 10V	7.5옴 @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	242,491 재고 있음	1 : ₩347.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩67.10600 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	100 V	170mA(Ta)	10V	6옴 @ 170mA, 10V	2V @ 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K15AMFV,L3F MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	148,350 재고 있음	1 : ₩347.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩59.75450 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	100mA(Ta)	2.5V, 4V	3.6옴 @ 10mA, 4V	1.5V @ 100µA	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	111,160 재고 있음	1 : ₩374.14660 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩74.07300 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	200mA(Ta)	10V	3.5옴 @ 220mA, 10V	1.5V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-323	SC-70, SOT-323
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	154,091 재고 있음	1 : ₩377.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩70.76533 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	200mA(Ta)	1.2V, 4.5V	2.2옴 @ 200mA, 4.5V	1V @ 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	99,613 재고 있음	1 : ₩377.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩75.08833 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	460mA(Ta)	1.8V, 4.5V	700m옴 @ 350mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-523	SOT-523
BSS138BKW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	66,000 재고 있음	1 : ₩377.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩77.67700 테이프 및 릴(TR)	TrenchMOS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	320mA(Ta)	10V	1.6옴 @ 320mA, 10V	1.6V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	260mW(Ta), 830mW(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	SOT-323	SC-70, SOT-323
SSM3K35CTC,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C Toshiba Semiconductor and Storage	24,730 재고 있음	1 : ₩377.00000 컷 테이프(CT) 10,000 : ₩62.19440 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	250mA(Ta)	1.2V, 4.5V	1.1옴 @ 150mA, 4.5V	1V @ 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	CST3C	SC-101, SOT-883
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	14,646 재고 있음	1 : ₩377.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩75.37000 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	115mA(Ta)	5V, 10V	7.5옴 @ 50mA, 5V	2V @ 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-523	SOT-523
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	502,874 재고 있음	1 : ₩392.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩81.32133 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	25 V	220mA(Ta)	2.7V, 4.5V	4옴 @ 400mA, 4.5V	1.06V @ 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW(Ta)	-55°C ~ 155°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN65D8LFB-7B MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Diodes Incorporated	203,021 재고 있음	1 : ₩392.00000 컷 테이프(CT) 10,000 : ₩65.87250 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	260mA(Ta)	5V, 10V	3옴 @ 115mA, 10V	2V @ 250µA	-	±20V	25 pF @ 25 V	-	430mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	X1-DFN1006-3	3-UFDFN
DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Diodes Incorporated	194,951 재고 있음	1 : ₩392.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩77.87300 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	380mA(Ta)	1.8V, 4.5V	2옴 @ 100mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	380mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	101,234 재고 있음	1 : ₩392.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩78.87833 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	3A(Ta)	2.5V, 4.5V	120m옴 @ 2.8A, 4.5V	1.2V @ 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1.5W(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

n채널 MOSFET: 전자가 주요 캐리어입니다.
p채널 MOSFET: 홀이 주요 캐리어입니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.