단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 41,282
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
계열
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSSC2M™
포장
Digi-Reel®박스벌크스트립컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)테이프 및 박스(TB)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-GaNFET(질화 갈륨)GaNFET(캐스코드 질화 갈륨 FET)MOSFET(금속 산화물)SiC(실리콘 카바이드 접합 트랜지스터)SiCFET(실리콘 카바이드)SiCFET(캐스코드 SiCJFET)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
-60 V-40 V-30 V-20 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
150µA(Ta)5mA(Ta)10mA(Ta)13mA(Tj)21mA(Ta)30mA30mA(Ta)30mA(Tc)30mA(Tj)34mA(Ta)35mA(Ta)40mA(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.29m옴 @ 50A, 10V0.3m옴 @ 200A, 10V0.35m옴 @ 50A, 10V0.4m옴 @ 150A, 10V0.4m옴 @ 30A, 10V0.4m옴 @ 50A, 10V0.42m옴 @ 50A, 10V0.44m옴 @ 88A, 10V0.45m옴 @ 30A, 10V0.45m옴 @ 30A, 7V0.45m옴 @ 50A, 10V0.45m옴 @ 60A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
-2.5V @ 250µA-2.0V @ 250µA-1.2V @ -250µA-1V @ -250µA400mV @ 1mA(최소)400mV @ 250µA(최소)450mV @ 100µA(최소)450mV @ 1mA(최소)450mV @ 250µA(최소)450mV @ 2mA(최소)500mV @ 250µA(최소)570mV @ 1mA(통상)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs(최대)
-20V-12V-10V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
FET 특징
-공핍 모드쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)온도 감지 다이오드전류 감지
내전력(최대)
400µW400µW(Ta)100mW100mW(Ta)120mW(Ta)121mW(Ta)125mW(Ta)125mW(Ta), 3W(Tc)150mW150mW(Ta)150mW(Tc)155mW(Ta)
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-군사용자동차
인증
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
실장 유형
-섀시 실장스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
공급 장치 패키지
2-HWSON(5x4)3-CP3-CPH3-DFN(0.6x1)3-DFN(1.0 x 0.60)3-DFN(1x0.6)3-FCLGA(3.2x2.2)3-LGA(0.73x0.64)3-LGA(4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
패키지/케이스
2-DFN 노출형 패드3-DFN 노출형 패드3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, 플랫 리드(Lead)3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-PowerXFDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 변형3-SMD, 무연
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
41,282검색 결과

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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
11,536
재고 있음
1 : ₩229.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩39.91567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
190mA(Ta), 300mA(Tc)
5V, 10V
4.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW(Ta), 1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
39,029
재고 있음
1 : ₩243.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩43.03567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
115mA(Ta)
5V, 10V
7.5옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
511,035
재고 있음
1 : ₩272.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩47.30333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
190mA(Ta)
5V, 10V
4.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW(Ta), 1.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
443,260
재고 있음
1 : ₩286.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩48.41800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
115mA(Ta)
5V, 10V
7.5옴 @ 50mA, 5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
58,730
재고 있음
1 : ₩300.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩50.39467
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5옴 @ 220mA, 10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
123,347
재고 있음
1 : ₩314.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩51.99033
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
320mA(Ta)
4.5V, 10V
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
95,587
재고 있음
7,095,000
공장
1 : ₩314.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩51.99033
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
380mA(Ta)
5V, 10V
2옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,459,105
재고 있음
1 : ₩329.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩54.22433
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
200mA(Ta)
1.2V, 2.5V
1.2옴 @ 100mA, 2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
EMT3F(SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
673,498
재고 있음
1 : ₩329.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩54.54333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
180mA(Ta)
10V
7.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW(Ta), 1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
481,815
재고 있음
1 : ₩329.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩56.45333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
260mA(Ta)
4.5V, 10V
2.5옴 @ 240mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
90,919
재고 있음
1 : ₩329.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩42.85170
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
400mA(Ta)
4.5V, 10V
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,195,342
재고 있음
1 : ₩343.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩45.14510
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
477,927
재고 있음
1 : ₩343.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩57.09167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
350mA(Ta)
2.5V, 10V
2.8옴 @ 250mA, 10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
468,480
재고 있음
1 : ₩343.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩58.65400
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
442,197
재고 있음
1 : ₩343.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩58.68733
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
130mA(Ta)
5V
10옴 @ 100mA, 5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
25,613
재고 있음
1 : ₩343.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩57.09167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
260mA(Ta)
4.5V, 10V
2.5옴 @ 240mA, 10V
2.6V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4,905,575
재고 있음
1 : ₩357.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩64.78433
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
800mA(Ta)
1.5V, 4.5V
235m옴 @ 800mA, 4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SSM
SC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
834,276
재고 있음
1 : ₩357.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩59.93067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
360mA(Ta)
10V
1.6옴 @ 300mA, 10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW(Ta), 1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
790,654
재고 있음
1 : ₩357.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩60.60233
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
50 V
200mA(Ta)
0.9V, 4.5V
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
769,227
재고 있음
1 : ₩357.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩107.17200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6.5A(Ta)
1.8V, 4.5V
22m옴 @ 6.5A, 4.5V
1V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
SOT-23-3
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
344,020
재고 있음
84,000
공장
1 : ₩372.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩105.33333
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V, 4.5V
90m옴 @ 3.6A, 4.5V
1V @ 50µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40,698
재고 있음
1 : ₩372.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩47.35290
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
350mA(Ta)
5V, 10V
2.8옴 @ 200mA, 10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350W(Ta), 3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
825,892
재고 있음
1 : ₩386.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩64.71767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
350mA(Ta)
10V
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW(Ta)
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
723,805
재고 있음
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1 : ₩386.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩60.31638
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
100mA(Ta)
1.2V, 4.5V
3.5옴 @ 100mA, 4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
VMT3
SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
197,158
재고 있음
1 : ₩386.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩63.79367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
170mA(Ta)
10V
6옴 @ 170mA, 10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.