GAN111-650WSBQ
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GAN111-650WSBQ
Nexperia cascode GaN FETs

GAN111-650WSBQ

DigiKey 제품 번호
1727-GAN111-650WSBQ-ND
제조업체
Nexperia USA Inc.
제조업체 제품 번호
GAN111-650WSBQ
제품 요약
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 21A(Ta) 107W(Ta) 스루홀 TO-247-3L
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Nexperia USA Inc.
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
21A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
114m옴 @ 14A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
336 pF @ 400 V
FET 특징
-
내전력(최대)
107W(Ta)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-247-3L
패키지/케이스
TO-247-3
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재고: 127
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수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
수량 단가 총액
1₩20,627.00000₩20,627
10₩14,276.70000₩142,767
50₩11,562.44000₩578,122
100₩10,690.62000₩1,069,062
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.
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