Name: TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H015G5WS-ND
Price: 36110 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

TP65H015G5WS
DigiKey 제품 번호	1707-TP65H015G5WS-ND
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TP65H015G5WS
제품 요약	650 V 95 A GAN FET
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 93A(Tc) 266W(Tc) 스루홀 TO-247-3
규격서	규격서

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 18m옴 @ 60A, 10V
제조업체 Renesas Electronics Corporation	Vgs(th)(최대) @ Id 4.8V @ 2mA
계열 SuperGaN™	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 100 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 5218 pF @ 400 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 266W(Tc)
기술 GaNFET(질화 갈륨)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 93A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-247-3