Name: TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PWS-ND
Price: 15691 KRW
Availability: InStock

TP65H030G4PWS
DigiKey 제품 번호	1707-TP65H030G4PWS-ND
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TP65H030G4PWS
제품 요약	GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 55.7A(Tc) 192W(Tc) 스루홀 TO-247-3
규격서	규격서

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	SuperGaN®
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	GaNFET(캐스코드 질화 갈륨 FET)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	55.7A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	12V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	41m옴 @ 30A, 12V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	24.5 nC @ 12 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1500 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	192W(Tc)
작동 온도	-40°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247-3
패키지/케이스	TO-247-3
기준 제품 번호	TP65H030

TP65H030G4PWS