Name: TP65H035G4WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H035G4WS-ND
Price: 19722 KRW
Availability: InStock

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TP65H035G4WS
DigiKey 제품 번호	1707-TP65H035G4WS-ND
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TP65H035G4WS
제품 요약	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 46.5A(Tc) 156W(Tc) 스루홀 TO-247-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TP65H035G4WS 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.8V @ 1mA
제조업체 Renesas Electronics Corporation	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 22 nC @ 0 V
계열 SuperGaN™	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1500 pF @ 400 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 156W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C
기술 GaNFET(캐스코드 질화 갈륨 FET)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 TO-247-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 46.5A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 TP65H035
Rds On(최대) @ Id, Vgs 41m옴 @ 30A, 10V