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SiC 전력 MOSFET

온 스테이트 저항이 낮고 스위치 손실이 적은 ROHM의 SiC MOSFET

ROHM의 SiC 전력 MOSFET 이미지ROHM의 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 다양한 정격 전류와 패키지로 제공됩니다. 다양한 온 스테이트 저항과 650V, 1200V, 1700V의 다양한 정격 전압(VDSS)을 제공합니다. IGBT와 달리 전원 차단 시의 테일 전류가 없으므로 빠른 동작이 가능하고 스위치 손실을 줄일 수 있습니다. 또한, 실리콘 소자와 달리 온 스테이트 저항은 고온에서도 상대적으로 일정하게 유지되어 전도성 손실을 최소화합니다. 최대 단락 내구성 시간을 지닌 2세대 플래너와 입력 정전 용량과 게이트 전하를 낮춘 3세대 트렌치 모델이 모두 제공됩니다. 최대 1700V의 단순 다이도 제공됩니다.

특징
  • 저손실 고속 스위칭
  • +175°C의 최대 접합 온도
  • 650V, 1200V, 1700V 정격의 패키지 소자
  • 17mΩ ~ 1150mΩ의 온 스테이트 저항
  • SPICE 모델 및 열 모델 사용 가능
  • 긴 단락 회로 내구성 시간을 지닌 2세대 플래너 기술
  • 바디 다이오드 사용에 대한 제한 없음
  • 낮은 입력 정전 용량(CISS)과 낮은 게이트 전하(QG)를 지닌 3세대 트렌치 기술
  • DC 차단 전압: 650V, 1200V, 1700V
  • 스위칭 손실 최소화
  • 동작 온도 범위: -40°C ~ +175°C
응용 분야
  • 인덕션 히터용 인버터
  • 모터 드라이브 인버터
  • 양방향 컨버터
  • 태양광 인버터
  • 전력 조정기

3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection

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업데이트: 2019-11-01
게시 날짜: 2019-04-30