MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 표면 실장 모듈
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 표면 실장 모듈
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKey 제품 번호
BSM180D12P3C007-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
BSM180D12P3C007
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
제조업체 표준 리드 타임
27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 표면 실장 모듈
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
BSM180D12P3C007 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Rohm Semiconductor
계열
-
포장
벌크
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N-Chan(이중)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(th)(최대) @ Id
5.6V @ 50mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
900pF @ 10V
전력 - 최대
880W
작동 온도
175°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
모듈
기준 제품 번호
제품 관련 질문 및 답변

엔지니어의 질문을 확인하거나, 직접 질문하거나, DigiKey 엔지니어링 커뮤니티의 회원을 도와주세요.

재고: 13
추가 입고 예정인 재고 확인
이 제품의 재고가 소진된 후에는 제조업체 표준 포장 및 리드 타임이 적용됩니다.
모든 가격은 KRW 기준입니다.
벌크
수량 단가 총액
1₩848,224.00000₩848,224