Name: BSM180D12P3C007
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P3C007-ND
Price: 861112 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Vgs(th)(최대) @ Id 5.6V @ 50mA
제조업체 Rohm Semiconductor	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 900pF @ 10V
포장 벌크	전력 - 최대 880W
부품 현황 활성	작동 온도 175°C(TJ)
기술 실리콘 카바이드(SiC)	실장 유형 표면 실장
구성 2 N-Chan(이중)	패키지/케이스 모듈
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200V(1.2kV)	공급 장치 패키지 모듈
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 180A(Tc)	기준 제품 번호 BSM180