FET, MOSFET 어레이

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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
기술
구성
FET 특징
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
전력 - 최대
작동 온도
등급
인증
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
66,978
재고 있음
1 : ₩311.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩59.03800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
300mA
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6nC(4.5V)
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
49,376
재고 있음
1 : ₩415.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩85.72367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
295mA
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.9nC(4.5V)
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
120,221
재고 있음
1 : ₩459.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩96.62133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
300mA
3옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6nC(10V)
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
91,676
재고 있음
1 : ₩459.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩87.24533
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
230mA
7.5옴 @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
72,083
재고 있음
1 : ₩474.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩69.53550
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
20V
800mA(Ta)
235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V
1V @ 1mA
1nC(10V)
55pF @ 10V, 100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
ES6
26,289
재고 있음
1 : ₩489.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩100.02033
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
20V
250mA(Ta)
2.2옴 @ 100mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PMBT2222AYS-QX
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
329,603
재고 있음
1 : ₩534.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩104.62933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
320mA
1.6옴 @ 320mA, 10V
1.6V @ 250µA
0.7nC(4.5V)
56pF @ 10V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
4,999
재고 있음
1 : ₩548.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩97.79725
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
500mA, 330mA
630m옴 @ 200mA, 5V
1V @ 1mA
1.23nC(4V)
46pF @ 10V
150mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
ES6
NC7SZ332P6X
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
56,677
재고 있음
1 : ₩563.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩128.48933
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
115mA
7.5옴 @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88(SC-70-6)
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
43,643
재고 있음
1 : ₩563.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.64667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
880mA
400m옴 @ 880mA, 2.5V
750mV @ 1.6µA
0.26nC(2.5V)
78pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
675,706
재고 있음
1 : ₩593.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩109.10500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
37,059
재고 있음
1 : ₩608.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩107.54367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
30V
3.4A, 2.8A
60m옴 @ 3.1A, 10V
2.3V @ 250µA
13nC(10V)
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SI1033X-T1-GE3
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
33,805
재고 있음
1 : ₩622.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩142.09400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
610mA(Ta)
396m옴 @ 500mA, 4.5V
1V @ 250µA
2nC(8V)
43pF @ 10V
220mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SC-89(SOT-563F)
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
26,582
재고 있음
1 : ₩622.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩105.98267
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
3.8A, 2.5A
55m옴 @ 3.4A, 10V
1.5V @ 250µA
12.3nC(10V)
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 23-6
SIL2308-TP
MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
MCC (Micro Commercial Components)
63,422
재고 있음
1 : ₩667.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩121.37567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
-
20V
5A, 4A
38m옴 @ 4.5A, 4.5V, 90m옴 @ 500mA, 4.5V
1V @ 250µA
11nC @ 4.5V, 12nC @ 2.5V
800pF, 405pF @ 8V, 10V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6
SOT-23-6L
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
0
재고 있음
리드 타임 확인
1 : ₩682.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩149.36100
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
630mA
375m옴 @ 630mA, 4.5V
1.5V @ 250µA
3nC(4.5V)
46pF @ 20V
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
374,583
재고 있음
1 : ₩682.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩118.01175
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
20V
540mA
550m옴 @ 540mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.5nC(4.5V)
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6,184
재고 있음
1 : ₩697.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩148.14067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
30V
5A
32m옴 @ 5.8A, 10V
1.5V @ 250µA
-
1155pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VDFN 노출형 패드
DFN2020-6L
53,639
재고 있음
1 : ₩711.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩127.80267
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
400mA, 200mA
700m옴 @ 200MA, 10V
1.8V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
25,162
재고 있음
1,359,000
공장
1 : ₩711.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩151.09500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
50V
200mA
3.5옴 @ 220mA, 10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
24,282
재고 있음
1 : ₩711.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩143.35867
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
30V
250mA
1.5옴 @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
1.3nC(5V)
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
0
재고 있음
리드 타임 확인
1 : ₩785.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩170.10775
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
540mA, 430mA
550m옴 @ 540mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.5nC(4.5V)
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
384,783
재고 있음
2,025,000
공장
1 : ₩800.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩157.87267
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
60V
500mA, 360mA
1.7옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.3nC(4.5V)
30pF @ 25V, 25pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SI1424EDH-T1-GE3
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
35,908
재고 있음
1 : ₩815.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩152.69033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
700mA, 500mA
388m옴 @ 600mA, 10V
2.5V @ 250µA
1.5nC(10V)
28pF @ 15V
340mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
Pkg 5540
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
29,776
재고 있음
1 : ₩815.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩302.32800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
3.7A
58m옴 @ 3.4A, 10V
2.2V @ 250µA
6nC(10V)
235pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
6-TSOP
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FET, MOSFET 어레이


전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.