FET, MOSFET 어레이

검색 결과 : 5,735
제조업체
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorFlip Electronics
계열
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
포장
Digi-Reel®박스벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
기술
-GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)SiCFET(실리콘 카바이드)실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N 및 2 P-채널(풀 브리지)2 N 채널 및 2 P 채널2 N 채널 및 2 P 채널 결합 쌍2 N 채널(위상 레그)2 N 채널(이중 벅 초퍼)2 N 채널(이중) 결합 쌍2 N 채널(이중) 공통 드레인2 N 채널(이중) 비대칭2 N 채널(이중), 쇼트키2 N 채널(캐스코드)2 N 채널(하프브리지)2 N-Chan(이중)
FET 특징
-공핍 모드논리 레벨 게이트논리 레벨 게이트, 0.9V 구동논리 레벨 게이트, 1.2V 구동논리 레벨 게이트, 1.5V 구동논리 레벨 게이트, 1.8V 구동논리 레벨 게이트, 10V 드라이브논리 레벨 게이트, 2.5V 구동논리 레벨 게이트, 4.5V 구동논리 레벨 게이트, 4V 구동논리 레벨 게이트, 5V 구동실리콘 카바이드(SiC)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA(Ta)80mA100mA100mA, 200mA100mA, 5.5A100mA(Ta)115mA115mA, 130mA115mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.46m옴 @ 160A, 12V0.762m옴 @ 160A, 12V0.765m옴 @ 160A, 12V, 0.580m옴 @ 160A, 12V0.765m옴 @ 160A, 12V, 0.710m옴 @ 160A, 12V0.8m옴 @ 1200A, 10V0.88m옴 @ 160A, 14V, 0.71m옴 @ 160A, 14V0.88m옴 @ 50A, 10V0.95m옴 @ 30A, 10V0.95m옴 @ 8A, 4.5V0.99m옴 @ 80A, 10V, 1.35m옴 @ 80A, 10V1.039m옴 @ 160A, 12V, 762µ옴 @ 160A, 12V1.15m옴 @ 100A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA(최소)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V0.45nC(4.5V)50pC @ 4.5V0.16nC(5V), 0.044nC(5V)0.22nC(5V), 0.044nC(5V)0.26nC(2.5V)0.28nC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V0.3nC(4.5V)0.304nC(4.5V)0.31nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2.5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7.1pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V8.5pF @ 3V
전력 - 최대
490µW500µW(Ta)10mW20mW120mW125mW125mW(Ta)140mW150mW150mW(Ta)180mW200mW
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C
등급
-군사용자동차
인증
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
실장 유형
-섀시 실장스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
패키지/케이스
4-SMD, 무연4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN 노출형 패드4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
공급 장치 패키지
4-AlphaDFN(0.97x0.97)4-AlphaDFN(1.2x1.2)4-AlphaDFN(1.9x1.3)4-BGA(1x1)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1.11x1.11)4-CSP(1.1x1.1)4-CSP(1.29x1.29)4-CSP(1.74x1.74)4-DFN(1.5x1.5)4-DFN(1.7x1.7)4-EFCP(1.01x1.01)
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
5,735검색 결과

보기
/ 5,735
제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
기술
구성
FET 특징
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
전력 - 최대
작동 온도
등급
인증
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
296,896
재고 있음
1 : ₩287.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩58.80533
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
300mA
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6nC(4.5V)
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
99,025
재고 있음
1 : ₩301.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩80.96800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
230mA
7.5옴 @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
6-XFDFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
83,605
재고 있음
1 : ₩459.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩90.18860
테이프 및 릴(TR)
1 : ₩387.00000
컷 테이프(CT)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
600mA
620m옴 @ 600mA, 4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC(4.5V)
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-XFDFN 노출형 패드
DFN1010B-6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
45,731
재고 있음
1,521,000
공장
1 : ₩387.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩102.35133
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
1.07A, 845mA
450m옴 @ 600mA, 4.5V
1V @ 250µA
0.74nC(4.5V)
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
96,863
재고 있음
2,880,000
공장
1 : ₩416.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.44867
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
30V
3.4A, 2.8A
60m옴 @ 3.1A, 10V
2.3V @ 250µA
13nC(10V)
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
24,254
재고 있음
3,084,000
공장
1 : ₩416.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩112.82067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
3.8A, 2.5A
55m옴 @ 3.4A, 10V
1.5V @ 250µA
12.3nC(10V)
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
PMBT2222AYS-QX
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18,974
재고 있음
1 : ₩430.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩90.00800
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
320mA
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.4V @ 250µA
0.8nC(4.5V)
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q100
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
50,144
재고 있음
1 : ₩445.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩90.45250
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
20V
800mA(Ta)
235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V
1V @ 1mA
1nC(10V)
55pF @ 10V, 100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
ES6
172,473
재고 있음
1 : ₩459.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩96.79133
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
20V
250mA(Ta)
2.2옴 @ 100mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PMBT2222AYS-QX
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68,280
재고 있음
1 : ₩459.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩124.72900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
860mA
350m옴 @ 200mA, 4.5V
1.5V @ 250µA
0.72nC(4.5V)
34pF @ 20V
410mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
437,910
재고 있음
1 : ₩473.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩124.57825
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
20V
540mA
550m옴 @ 540mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.5nC(4.5V)
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
87,283
재고 있음
1 : ₩473.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩130.20267
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
115mA
7.5옴 @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
26,356
재고 있음
1 : ₩473.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩129.89200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
630mA
375m옴 @ 630mA, 4.5V
1.5V @ 250µA
3nC(4.5V)
46pF @ 20V
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
35,991
재고 있음
1 : ₩488.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩104.17733
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
300mA
3옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6nC(10V)
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
139,571
재고 있음
1 : ₩502.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩101.23375
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
100mA
4옴 @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
-
8.5pF @ 3V
150mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
ES6
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
75,074
재고 있음
1 : ₩502.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩133.14750
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
800mA
380m옴 @ 500mA, 4.5V
950mV @ 250µA
0.68nC(4.5V)
83pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
onsemi
58,852
재고 있음
1 : ₩502.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩131.64875
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 P 채널(이중)
-
20V
430mA
900m옴 @ 430mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.5nC(4.5V)
175pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
0
재고 있음
리드 타임 확인
1 : ₩531.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩143.42067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
30V
250mA
1.5옴 @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
1.3nC(5V)
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
409,899
재고 있음
2,256,000
공장
1 : ₩559.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩125.99567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
60V
500mA, 360mA
1.7옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.3nC(4.5V)
30pF @ 25V, 25pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
60,093
재고 있음
1 : ₩559.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩149.14550
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
540mA, 430mA
550m옴 @ 540mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.5nC(4.5V)
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
735,598
재고 있음
1 : ₩574.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩99.76500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
6-XFDFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
23,286
재고 있음
1 : ₩574.00000
컷 테이프(CT)
5,000 : ₩147.89340
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
30V
590mA
670m옴 @ 590mA, 4.5V
950mV @ 250µA
1,05nC(4,5V)
30.3pF @ 15V
285mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-XFDFN 노출형 패드
DFN1010B-6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
166,227
재고 있음
1 : ₩588.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩126.91367
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 0.9V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
155,094
재고 있음
1 : ₩588.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩110.45900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 0.9V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
19,821
재고 있음
3,744,000
공장
1 : ₩588.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩160.16233
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
50V
200mA
3.5옴 @ 220mA, 10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
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FET, MOSFET 어레이


전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.