FET, MOSFET 어레이

검색 결과 : 5,635
제조업체
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
계열
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
포장
Digi-Reel®박스벌크컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
기술
-GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)SiCFET(실리콘 카바이드)실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N 및 2 P-채널(풀 브리지)2 N 채널 및 2 P 채널2 N 채널 및 2 P 채널 결합 쌍2 N 채널(위상 레그)2 N 채널(이중 벅 초퍼)2 N 채널(이중) 결합 쌍2 N 채널(이중) 공통 드레인2 N 채널(이중) 비대칭2 N 채널(이중), 쇼트키2 N 채널(캐스코드)2 N 채널(하프브리지)2 N-Chan(이중)
FET 특징
-공핍 모드논리 레벨 게이트논리 레벨 게이트, 0.9V 구동논리 레벨 게이트, 1.2V 구동논리 레벨 게이트, 1.5V 구동논리 레벨 게이트, 1.8V 구동논리 레벨 게이트, 10V 드라이브논리 레벨 게이트, 2.5V 구동논리 레벨 게이트, 4.5V 구동논리 레벨 게이트, 4V 구동논리 레벨 게이트, 5V 구동실리콘 카바이드(SiC)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA(Ta)80mA100mA100mA, 200mA100mA, 5.5A100mA(Ta)115mA115mA, 130mA115mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.46m옴 @ 160A, 12V0.762m옴 @ 160A, 12V0.765m옴 @ 160A, 12V, 0.580m옴 @ 160A, 12V0.765m옴 @ 160A, 12V, 0.710m옴 @ 160A, 12V0.8m옴 @ 1200A, 10V0.88m옴 @ 160A, 14V, 0.71m옴 @ 160A, 14V0.88m옴 @ 50A, 10V0.95m옴 @ 30A, 10V0.95m옴 @ 8A, 4.5V0.99m옴 @ 80A, 10V, 1.35m옴 @ 80A, 10V1.039m옴 @ 160A, 12V, 762µ옴 @ 160A, 12V1.2m옴 @ 800A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA(최소)
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V0.45nC(4.5V)0.16nC(5V), 0.044nC(5V)0.22nC(5V), 0.044nC(5V)0.26nC(2.5V)0.28nC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V0.3nC(4.5V)0.304nC(4.5V)0.31nC(4.5V)0.32nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2.5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7.1pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V8.5pF @ 3V
전력 - 최대
490µW500µW(Ta)10mW20mW120mW125mW125mW(Ta)140mW150mW150mW(Ta)180mW200mW
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C
등급
-군사용자동차
인증
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
실장 유형
-섀시 실장스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
패키지/케이스
4-SMD, 무연4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN 노출형 패드4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
공급 장치 패키지
4-AlphaDFN(0.97x0.97)4-AlphaDFN(1.2x1.2)4-AlphaDFN(1.9x1.3)4-BGA(1x1)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1.11x1.11)4-CSP(1.1x1.1)4-CSP(1.29x1.29)4-CSP(1.74x1.74)4-DFN(1.5x1.5)4-DFN(1.7x1.7)4-EFCP(1.01x1.01)
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
5,635검색 결과

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제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
기술
구성
FET 특징
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
전력 - 최대
작동 온도
등급
인증
실장 유형
패키지/케이스
공급 장치 패키지
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
794,119
재고 있음
1 : ₩372.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩81.72233
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357,871
재고 있음
1 : ₩372.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩83.53700
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 0.9V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
249,833
재고 있음
392,500
공장
1 : ₩372.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩112.53360
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 P 채널(이중)
논리 레벨 게이트
30V
3.9A
70m옴 @ 5.3A, 10V
3V @ 250µA
11nC(10V)
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SO
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
151,045
재고 있음
90,000
공장
1 : ₩414.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩168.79833
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
540mA
550m옴 @ 540mA, 4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
225mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170,198
재고 있음
1 : ₩429.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩171.47533
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 채널 및 P 채널, 공통 드레인
논리 레벨 게이트
30V
6A, 5.5A
30m옴 @ 6A, 10V
2.4V @ 250µA
6.3nC(10V)
310pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
8-SOIC
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
163,285
재고 있음
1 : ₩486.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩87.97167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
230mA
7.5옴 @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71,155
재고 있음
1 : ₩500.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩135.52267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
610mA(Ta)
396m옴 @ 500mA, 4.5V
1V @ 250µA
2nC(8V)
43pF @ 10V
220mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SC-89(SOT-563F)
350,143
재고 있음
1 : ₩514.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩92.12967
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
20V
250mA(Ta)
2.2옴 @ 100mA, 4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
98,176
재고 있음
1 : ₩514.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩137.78033
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
30V
250mA
1.5옴 @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
1.3nC(5V)
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80,560
재고 있음
1 : ₩514.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩85.79967
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
295mA
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.9nC(4.5V)
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20,623
재고 있음
1 : ₩514.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩140.26667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
20V
950mA
350m옴 @ 950mA, 4.5V
1.2V @ 1.6µA
0.32nC(4.5V)
63pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18,476
재고 있음
1 : ₩514.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩92.21567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
320mA
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.4V @ 250µA
0.8nC(4.5V)
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q100
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
44,709
재고 있음
1 : ₩543.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩116.18163
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트, 0.9V 구동
50V
200mA
2.2옴 @ 200mA, 4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
89,999
재고 있음
1 : ₩557.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩150.88025
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
540mA, 430mA
550m옴 @ 540mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.5nC(4.5V)
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
52,913
재고 있음
528,000
공장
1 : ₩557.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩122.19500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
3.8A, 2.5A
55m옴 @ 3.4A, 10V
1.5V @ 250µA
12.3nC(10V)
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
432,302
재고 있음
1,749,000
공장
1 : ₩572.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩154.27067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
60V
500mA, 360mA
1.7옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.3nC(4.5V)
30pF @ 25V, 25pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167,812
재고 있음
2,676,000
공장
1 : ₩572.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩102.77067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
20V
1.03A, 700mA
480m옴 @ 200mA, 5V
900mV @ 250µA
0.5nC(4.5V)
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
77,797
재고 있음
1 : ₩572.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩102.97075
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
30V
100mA
4옴 @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
-
8.5pF @ 3V
150mW
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64,747
재고 있음
1 : ₩572.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩154.27067
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
60V
280mA
7.5옴 @ 50mA, 5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
24,382
재고 있음
1 : ₩572.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩154.04200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 채널 2개
-
30V
5A
32m옴 @ 5.8A, 10V
1.5V @ 250µA
-
1155pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VDFN 노출형 패드
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
16,736
재고 있음
1 : ₩572.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩194.57200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
-
30V
6.2A
30m옴 @ 5.8A, 10V
2V @ 250µA
10.6nC(10V)
500pF @ 15V
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-UDFN 노출형 패드
U-DFN2020-6(유형B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
102,972
재고 있음
1 : ₩586.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩105.56200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
300mA
3옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6nC(10V)
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1,194
재고 있음
1 : ₩586.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩158.10967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
N 및 P 채널
논리 레벨 게이트
30V
700mA, 500mA
388m옴 @ 600mA, 10V
2.5V @ 250µA
1.5nC(10V)
28pF @ 15V
340mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
346,526
재고 있음
1 : ₩600.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩107.26733
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
320mA
1.6옴 @ 300mA, 10V
1.5V @ 250µA
0.8nC(4.5V)
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
256,927
재고 있음
1 : ₩600.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩109.05333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
MOSFET(금속 산화물)
2 N-Chan(이중)
논리 레벨 게이트
60V
300mA(Ta)
1.6옴 @ 500mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6nC(4.5V)
50pF @ 10V
295mW
150°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
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FET, MOSFET 어레이


전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 전류의 흐름을 제어하는 전자 장치입니다. 게이트 단자에 전압을 인가하면 드레인과 소스 단자 간 전도율이 바뀝니다. FET는 단일 캐리어 방식으로 작동하기 때문에 단극 트랜지스터라고도 합니다. 즉, FET는 작동 시 전자와 구멍 둘 모두가 아니라 둘 중 하나를 통해 전하를 이동시킵니다. 전계 효과 트랜지스터는 일반적으로 낮은 주파수에서 매우 높은 입력 임피던스를 나타냅니다.