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제조업체 추천


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩9,412.00000

유사


Microchip Technology
재고 있음: 154
단가 : ₩9,322.00000
규격서
N채널 1700 V 5.9A(Tc) 57W(Tc) 표면 실장 TO-268
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N채널 1700 V 5.9A(Tc) 57W(Tc) 표면 실장 TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2750NYTB

DigiKey 제품 번호
SCT2750NYTBTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
SCT2750NYTBCT-ND - 컷 테이프(CT)
SCT2750NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체
제조업체 제품 번호
SCT2750NYTB
제품 요약
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1700 V 5.9A(Tc) 57W(Tc) 표면 실장 TO-268
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
975m옴 @ 1.7A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 630µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
17 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -6V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
275 pF @ 800 V
FET 특징
-
내전력(최대)
57W(Tc)
작동 온도
175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-268
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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