4세대 실리콘 카바이드 SiC MOSFET

높은 전압을 견딜 수 있는 우수한 항복 전압을 제공하여 콤팩트한 시스템 설계를 구현하는 ROHM의 SiC MOSFET

ROHM의 4세대 실리콘 카바이드 SCT MOSFET 이미지ROHM의 4세대 SCT4xxx 계열 MOSFET은 까다로운 응용 제품에서 우수한 효율과 성능을 제공하도록 설계된 혁신적인 실리콘 카바이드(SiC) 전력 장치입니다. SiC 기술의 고유한 장점을 활용하는 이러한 MOSFET은 기존 실리콘 MOSFET에 비해 상당한 이점을 제공합니다. 이 제품은 더 높은 전압을 견딜 수 있는 우수한 항복 전압을 제공하여 콤팩트한 시스템 설계를 구현합니다. 초저 온스테이트 저항(RDS(ON))은 전도 손실을 줄이고 에너지 효율을 향상시키며 고속 스위칭을 통해 스위칭 주파수를 가속화하고 스위칭 손실을 최소화합니다. 이 MOSFET은 탁월한 열 성능을 갖추고 있으며 시스템 신뢰성을 향상하기 위해 더 높은 온도에서 작동합니다.

특징
  • 항복 전압 범위: 650V ~ 1700V
  • 드레인 전류 범위: 3.7A ~ 70A
  • 낮은 RDS(ON)
  • 고속 스위칭
  • 우수한 열 전도율
  • TO-247 패키지
  • RoHS 준수
응용 분야
  • 스위치 모드 전원 공급 장치
  • 태양광 인버터
  • 무정전 전원 공급 장치(UPS)
  • 전기 자동차(EV) 충전기
  • 유도 가열 장비
  • 모터 구동기
  • 기차
  • 풍력 변환기
  • 데이터 센터 전원 공급 장치
  • 산업용/자동화 장비
  • 용접 장비
  • 배터리 충전기
  • 고성능 오디오 증폭기
  • 항공기 동력 시스템

SiC MOSFETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2024-03-19