SCT2450KEGC11
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SCT2450KEGC11
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2450KEGC11

DigiKey 제품 번호
846-SCT2450KEGC11-ND
제조업체
Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호
SCT2450KEGC11
제품 요약
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
제조업체 표준 리드 타임
24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 10A(Tc) 85W(Tc) 스루홀 TO-247N
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Rohm Semiconductor
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
585m옴 @ 3A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 900µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -6V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
463 pF @ 800 V
FET 특징
-
내전력(최대)
85W(Tc)
작동 온도
175°C
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-247N
패키지/케이스
TO-247-3
기준 제품 번호
SCT2450
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재고: 503
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩17,442.00000₩17,442
10₩12,575.60000₩125,756
450₩9,082.46444₩4,087,109
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.