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4세대 SiC MOSFET
15V 게이트-소스 전압을 지원하여 응용 제품 설계 자유도를 높이는 ROHM의 4세대 SiC MOSFET
ROHM의 4세대 SiC MOSFET은 단락 저항 시간을 희생하지 않으면서 탁월한 낮은 ON 저항을 제공합니다. 특징으로는 낮은 스위칭 손실과 15V 게이트-소스 전압 지원을 포함하여 추가적인 장치 전력 절감에 기여합니다.
스위칭 손실/ON 저항 비교
특징
- 단락 견고성을 희생하지 않고 우수한 낮은 ON 저항을 달성
- 기생 정전 용량을 대폭 줄여 스위칭 손실 최소화
- 15V 게이트-소스 전압 지원, 응용 제품 설계 자유도 향상
응용 분야
- 태양광 인버터
- DC/DC 컨버터
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- 유도 가열
- 모터 구동기
4th Generation SiC MOSFETs
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT4026DEC11 | 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR | 4843 - 즉시 | $29,482.00 | 세부 정보 보기 |
|  | SCT4013DRC15 | 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR | 942 - 즉시 | $51,731.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4036KEC11 | 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST | 4657 - 즉시 | $27,979.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4026DRC15 | 750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR | 3420 - 즉시 | $27,532.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4045DRC15 | 750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR | 3543 - 즉시 | $19,169.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4062KRC15 | 1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST | 4440 - 즉시 | $17,353.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4036KRC15 | 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST | 4526 - 즉시 | $27,964.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4018KRC15 | 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST | 4271 - 즉시 | $52,773.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4062KEC11 | 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST | 4706 - 즉시 | $18,677.00 | 세부 정보 보기 |
| | SCT4045DEC11 | 750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR | 4120 - 즉시 | $19,169.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2022-06-01
대한민국