Name: SCT3022KLGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3022KLGC11-ND
Price: 85720 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5.6V @ 18.2mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 178 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) +22V, -4V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2879 pF @ 800 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 427W
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 95A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-247N
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V	패키지/케이스 TO-247-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 28.6m옴 @ 36A, 18V	기준 제품 번호 SCT3022