7-핀 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor의 7-핀 SiC MOSFET은 더 빠르게 전환할 수 있어 스위칭 손실 감소

ROHM의 7-핀 SiC MOSFET 이미지ROHM Semiconductor는 현재 TO-263-7L SMD 패키지로 제공되는 장치로 이산 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 포트폴리오를 확장합니다. TO-263-7L 패키지에서 제공하는 SiC MOSFET의 소스 단자에 대한 Kelvin 연결의 이점은 아래 이미지에 나와 있습니다. 주요 소스 인덕턴스(LS)는 더 이상 게이트 구동 루프와 주 전류 경로에서 공유되지 않습니다. 결과적으로 장치를 더 빠르게 전환할 수 있으므로 스위칭 손실이 줄어듭니다.

TO-263-7L 패키지에서 제공하는 SiC MOSFET의 소스 단자에 대한 Kelvin 연결 이미지

TO-263-7L SMD 패키지 및 기생 인덕턴스

턴온 시 소스 단자의 유도 전압 강하가 유효 게이트 전압을 감소시켜 di/dt 전환 시간이 길고 턴온 손실이 크게 발생하기 때문에 3-리드 장치는 스위칭 속도가 제한됩니다. 이 기간은 게이트 구동기에 대한 Kelvin 소스 연결이 있는 SMD 패키지의 장치에서 더 짧으므로 턴온 손실이 감소합니다. 마찬가지로, TO263-7L 패키지에서 감소된 기생 인덕턴스 효과로 인해 턴오프 과도 상태에서 훨씬 더 높은 di/dt 속도를 달성할 수 있어 TO-247 패키지보다 턴오프 손실이 낮습니다.

SiC MOSFET은 매우 빠른 스위칭 속도를 달성하여 전력 전자 컨버터의 에너지 손실을 크게 줄일 수 있지만, 기존 전력 반도체 패키지의 한계로 인해 장치의 전체 잠재력을 항상 사용할 수는 없습니다. ROHM의 이번 업데이트된 패키지는 그 한계를 없애는 것을 목표로 합니다.

특징
  • 빠른 스위칭 속도
  • 간단한 구동
  • 무연 리드 도금, RoHS 준수
  • 낮은 온스테이트 저항
  • 초고속 역회복
응용 분야
  • DC/DC 컨버터
  • 스위치 모드 전원 공급 장치
  • 모터 구동기
  • 태양광 인버터
  • 유도 가열

7-Pin SiC MOSFETs

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게시 날짜: 2021-04-02