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전체 SiC 하프브리지 전력 모듈
산업 표준 패키지로 SiC MOSFET 및 SBD를 통합하는 ROHM의 SiC 전력 모듈
ROHM Semiconductor의 전체 SiC 하프브리지 전력 모듈은 표준 산업 패키지에 SiC MOSFET과 SBD를 통합합니다. 고유한 스크린 방법과 함께 원래 전기장 완화 구조 활용을 통해 신뢰성을 유지하고 전체 SiC 전력 모듈을 위한 최초의 양산 시스템 개발을 실현할 수 있습니다.
- 낮은 포유 인덕턴스
- 고속 회복 특성
- 낮은 스위칭 손실
- IGBT에 비해 부하 경감 필요 없음
- 재생 에너지/에너지 스토리지
- EV/HEV 인버터 및 충전기
- 유도 열/용접
- HVDC
Full-SiC Half-Bridge Power Modules
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - 즉시 | $540,445.00 | 세부 정보 보기 |
|  | BSM180D12P3C007 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 13 - 즉시 | $827,722.00 | 세부 정보 보기 |
|  | BSM300D12P2E001 | MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE | 8 - 즉시 | $1,044,020.00 | 세부 정보 보기 |
|  | BSM250D17P2E004 | MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE | 3 - 즉시 | $1,446,008.00 | 세부 정보 보기 |
| | BSM080D12P2C008 | MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE | 0 - 즉시 | $468,395.00 | 세부 정보 보기 |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - 즉시 | $656,582.00 | 세부 정보 보기 |
|  | BSM180C12P2E202 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE | 0 - 즉시 | $898,876.00 | 세부 정보 보기 |
|  | BSM400C12P3G202 | SICFET N-CH 1200V 400A MODULE | 4 - 즉시 | $1,403,935.00 | 세부 정보 보기 |
| | BSM600C12P3G201 | SICFET N-CH 1200V 600A MODULE | 0 - 즉시 | $1,763,424.00 | 세부 정보 보기 |
업데이트: 2019-04-23
게시 날짜: 2014-05-09
대한민국