SiC 전력 MOSFET 및 다이오드 게이트 구동 평가 기판 키트

SiC 설계의 시스템 수준 영향을 분석하는 IXYS/Littelfuse Technology의 게이트 구동기 평가 기판

SiC 전력 MOSFET 및 다이오드 게이트 구동 평가 기판 키트 이미지IXYS/Littelfuse Technology에서 실리콘 카바이드 MOSFET 및 다이오드를 위한 게이트 구동 평가 기판을 개발했습니다. GDEV 시스템은 게이트 구동 모듈 기판을 삽입 할 수 있는 마더 보드로 구성되어 있고, 사용자가 SiC 기반의 설계로 시스템 수준의 영향을 분석할 수 있습니다. 잘 정의되고 최적화된 테스트 조건에서 다양한 게이트 구동기 하프브리지 구성 솔루션의 성능을 비교할 수 있습니다. 또한, GDEV는 게이트 구동기의 열 성능 및 EMI 내성을 평가하기 위해 연속 동작 조건에서 게이트 구동 회로 성능을 테스트할 수 있습니다.

리소스

특징
  • 정격 전압 및 정격 전류에서 SiC 전력 MOSFET 및 다이오드의 연속 작동 평가
  • 잘 정의되고 최적화된 테스트 조건에서 다양한 게이트 구동기 솔루션의 성능 비교
  • 연속 구동 조건에서 게이트 구동 회로를 테스트하여 게이트 구동기의 열 성능 및 EMI 내성 평가
  • SiC 설계에서 시스템 수준의 영향 분석
    • 효율성 개선
    • EMI 방출
    • 수동 부품(크기, 비용 및 무게)

SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit

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게시 날짜: 2019-12-17