LFUSCD20120B
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LFUSCD20120B
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0160

DigiKey 제품 번호
F11005-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
LSIC1MO120E0160
제품 요약
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
제조업체 표준 리드 타임
29주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 22A(Tc) 125W(Tc) 스루홀 TO-247AD
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
200m옴 @ 10A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
57 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+22V, -6V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
870 pF @ 800 V
FET 특징
-
내전력(최대)
125W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-247AD
패키지/케이스
기준 제품 번호
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재고: 2,221
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튜브
수량 단가 총액
1₩17,546.00000₩17,546
30₩10,678.13333₩320,344
120₩10,497.67500₩1,259,721
제조업체 표준 포장
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