IXFN50N120SK IXYS | 이산 반도체 제품

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제조업체 추천

IXYS

재고 있음: 132

단가 : ₩51,300.00000

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	IXYS
계열	-
포장	튜브
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	48A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	52m옴 @ 40A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.8V @ 10mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	115 nC @ 20 V
Vgs(최대)	+20V, -5V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1895 pF @ 1000 V
FET 특징	-
내전력(최대)	-
작동 온도	-40°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	섀시 실장
공급 장치 패키지	SOT-227B
패키지/케이스	SOT-227-4, miniBLOC
기준 제품 번호	IXFN50