238~SOT227B~~4
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IXFN55N120SK

DigiKey 제품 번호
238-IXFN55N120SK-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IXFN55N120SK
제품 요약
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 54A(Tc) 섀시 실장 SOT-227B
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
42m옴 @ 40A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.6V @ 12mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
107 nC @ 15 V
Vgs(최대)
+15V, -4V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3360 pF @ 1000 V
FET 특징
-
내전력(최대)
-
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
섀시 실장
공급 장치 패키지
SOT-227B
패키지/케이스
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재고: 132
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튜브
수량 단가 총액
1₩51,300.00000₩51,300
10₩37,938.20000₩379,382
100₩33,455.64000₩3,345,564
제조업체 표준 포장
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