IXFN55N120SK IXYS | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 42m옴 @ 40A, 15V
제조업체 IXYS	Vgs(th)(최대) @ Id 3.6V @ 12mA
포장 튜브	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 107 nC @ 15 V
부품 현황 단종	Vgs(최대) +15V, -4V
FET 유형 N채널	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3360 pF @ 1000 V
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 섀시 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 54A(Tc)	공급 장치 패키지 SOT-227B
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V	패키지/케이스 SOT-227-4, miniBLOC

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IXFN55N120SK