IXFN90N170SK IXYS | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 36mA
제조업체 IXYS	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 376 nC @ 20 V
포장 튜브	Vgs(최대) +20V, -5V
부품 현황 단종	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 7340 pF @ 1000 V
FET 유형 N채널	작동 온도 -40°C ~ 150°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	실장 유형 섀시 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1700 V	공급 장치 패키지 SOT-227B
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 90A(Tc)	패키지/케이스 SOT-227-4, miniBLOC
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V	기준 제품 번호 IXFN90
Rds On(최대) @ Id, Vgs 35m옴 @ 100A, 20V

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IXFN90N170SK