IXFN90N170SK IXYS | 이산 반도체 제품

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	IXYS
계열	-
포장	튜브
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	90A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	35m옴 @ 100A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 36mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	376 nC @ 20 V
Vgs(최대)	+20V, -5V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	7340 pF @ 1000 V
FET 특징	-
내전력(최대)	-
작동 온도	-40°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	섀시 실장
공급 장치 패키지	SOT-227B
패키지/케이스	SOT-227-4, miniBLOC
기준 제품 번호	IXFN90