LSIC1MO170E1000 Littelfuse Inc. | 이산 반도체 제품

LSIC1MO170E1000은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

유사

Littelfuse Inc.

재고 있음: 251

단가 : ₩12,352.00000

유사

STMicroelectronics

재고 있음: 188

단가 : ₩20,701.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Littelfuse Inc.
계열	-
포장	튜브
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	5A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	15V, 20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1옴 @ 2A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	15 nC @ 20 V
Vgs(최대)	+22V, -6V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	200 pF @ 1000 V
FET 특징	-
내전력(최대)	54W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247AD
패키지/케이스	TO-247-3