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1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

When compared to silicon IGBTs with similar on-state losses and voltage-blocking capabilities, the LSIC1MO120E0120 and LSIC1MO120E0160 SiC MOSFETs all but eliminate switching losses, offering higher efficiency and reduced converter system weight.

7/24/2019 9:24:00 PM

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SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3LLSIC1MO170E1000SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L0 - 즉시$5,478.78세부 정보 보기
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SICFET N-CH 1200V 20A TO247-3LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 20A TO247-326 - 즉시
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