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1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

When compared to silicon IGBTs with similar on-state losses and voltage-blocking capabilities, the LSIC1MO120E0120 and LSIC1MO120E0160 SiC MOSFETs all but eliminate switching losses, offering higher efficiency and reduced converter system weight.

7/24/2019 9:24:00 PM

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SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3LLSIC1MO170E1000SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L0 - 즉시$5,279.55세부 정보 보기
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SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3LSIC1MO120E0080SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3369 - 즉시$28,917.00세부 정보 보기
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-32221 - 즉시
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DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220ACLSIC2SD120A05DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO220AC0 - 즉시$3,177.02세부 정보 보기
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DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220LLSIC2SD065A06ADIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220L758 - 즉시$7,337.00세부 정보 보기
DIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2LLSIC2SD065A08ADIODE SIL CARB 650V 23A TO220-2L1021 - 즉시$8,617.00세부 정보 보기
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DIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2LLSIC2SD065A20ADIODE SIL CARB 650V 45A TO220-2L873 - 즉시
1000 - 공장 재고
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