VideoLibrary

Silicon Carbide (SiC) Business

SiC provides a number of benefits over silicon, including faster switching performance, higher voltage capability, and lower ON resistance.

2/6/2023 8:40:46 PM

Part List

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2472 - 즉시$15,612.00세부 정보 보기
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE0 - 즉시$474,362.00세부 정보 보기
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE13 - 즉시$838,266.00세부 정보 보기
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP933 - 즉시$9,956.00세부 정보 보기
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACP643 - 즉시$4,420.00세부 정보 보기
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFP1000 - 즉시$9,763.00세부 정보 보기
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP314 - 즉시$13,989.00세부 정보 보기
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFP995 - 즉시$21,639.00세부 정보 보기
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N545 - 즉시$17,814.00세부 정보 보기
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N0 - 즉시$23,752.00세부 정보 보기
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247450 - 즉시$16,475.00세부 정보 보기
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N0 - 즉시$22,413.00세부 정보 보기
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N283 - 즉시$15,121.00세부 정보 보기
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N199 - 즉시$15,478.00세부 정보 보기
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N150 - 즉시$36,536.00세부 정보 보기
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE8 - 즉시$1,057,320.00세부 정보 보기
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP886 - 즉시$4,316.00세부 정보 보기
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACP0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULE7 - 즉시$444,314.00세부 정보 보기
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACPSCS304AHGC9DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP52 - 즉시$5,789.00세부 정보 보기

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

게시 날짜: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

게시 날짜: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

게시 날짜: 2023-02-06

Related Product Highlight

4세대 실리콘 카바이드 SiC MOSFET ROHM의 4세대 실리콘 카바이드 MOSFET은 까다로운 응용 제품에서 우수한 효율과 성능을 제공하도록 설계되었습니다.
4세대 SiC MOSFET ROHM의 4세대 SiC MOSFET은 낮은 스위칭 손실과 15V 게이트-소스 전압을 지원하여 장치 절전에 기여합니다.
BD3430 DAC 칩 - MUS-ICT™ 계열 ROHM의 MUS-ICT 계열에는 고급 오디오 IC BD3430 DAC 칩이 포함되어 있습니다.

Related Articles and Blogs

고전력 응용 분야에서 손실을 줄이고 효율성을 향상시키며 온도 범위를 확장하는 방법 설계자는 4세대 SiC MOSFET을 사용하여 효율성을 크게 향상시키고 비용을 절감하며 고전압, 고전력 제어 회로의 크기를 줄일 수 있습니다.
운송 업계를 재성형하는 와이드 밴드갭 반도체 전기 자동차 및 하이브리드 자동차, 그리고 환경에 더 좋은 대중교통 솔루션으로 운송 부문 전체가 급진적인 변화를 겪고 있습니다.
항공 우주 및 위성 응용 분야의 와이드 밴드갭 반도체 와이드 밴드갭 반도체는 출력 밀도 및 효율성 증가, 시스템 크기 및 무게 감소 등 전력 변환의 측면에서 다양한 이점을 제공합니다.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.