Name: SIHB23N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB23N60E-GE3-ND
Price: 7950 KRW
Availability: InStock

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Vishay Siliconix
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	23A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	158m옴 @ 12A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2418 pF @ 100 V
FET 특징	-
내전력(최대)	227W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-263(D2PAK)
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	SIHB23

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