23A(Tc) 단일 FET, MOSFET

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FET 유형
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드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SISS5808DN-T1-GE3
SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
4,689
재고 있음
1 : ₩1,866.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩626.34667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
59m옴 @ 5A, 10V
2.5V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1050 pF @ 50 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
8,385
재고 있음
1 : ₩2,764.00000
튜브
튜브
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
10V
117m옴 @ 11A, 10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
582
재고 있음
1 : ₩3,391.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,057.70000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
10V
117m옴 @ 14A, 10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta), 110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
PG-TO220-3-1
IPP60R022S7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3
Infineon Technologies
571
재고 있음
1 : ₩13,208.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
23A(Tc)
12V
22m옴 @ 23A, 12V
4.5V @ 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PG-HSOF-8-2
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Infineon Technologies
531
재고 있음
1 : ₩14,276.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩7,190.96550
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
23A(Tc)
12V
22m옴 @ 23A, 12V
4.5V @ 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y53-100B,115
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,760
재고 있음
1 : ₩983.00000
컷 테이프(CT)
1,500 : ₩524.89600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
49m옴 @ 10A, 10V
2V @ 1mA
18 nC @ 5 V
±15V
2130 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PowerPak SO-8L
SQJ158EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,640
재고 있음
1 : ₩1,240.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩353.15100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
33m옴 @ 7A, 10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ476EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,743
재고 있음
1 : ₩1,582.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩489.84633
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
38m옴 @ 10A, 10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
4,639
재고 있음
1 : ₩1,710.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩542.07960
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
31m옴 @ 15A, 10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
3W(Ta), 100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-252AA
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
DPAK
STD15NF10T4
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
STMicroelectronics
1,311
재고 있음
1 : ₩2,109.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩697.58200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
10V
65m옴 @ 12A, 10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-247-3 AC EP
IRFP9140NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
Infineon Technologies
757
재고 있음
1 : ₩3,662.00000
튜브
튜브
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
10V
117m옴 @ 13A, 10V
4V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-247AC
TO-247-3
TO-3PN
FDA24N40F
MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
onsemi
3,133
재고 있음
1 : ₩5,129.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
400 V
23A(Tc)
10V
190m옴 @ 11.5A, 10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
3030 pF @ 25 V
-
235W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-3PN
TO-3P-3, SC-65-3
IRFP254PBF
IRFP254PBF
MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Vishay Siliconix
1,223
재고 있음
1 : ₩5,642.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
250 V
23A(Tc)
10V
140m옴 @ 14A, 10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Vishay Siliconix
1,726
재고 있음
1 : ₩7,081.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
400 V
23A(Tc)
10V
200m옴 @ 14A, 10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-247AC
TO-247-3
115
재고 있음
1 : ₩10,900.00000
컷 테이프(CT)
250 : ₩4,888.77200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
GaNFET(질화 갈륨)
700 V
23A(Tc)
6V
90m옴 @ 5.5A, 6V
2.6V @ 4.8mA
4.2 nC @ 6 V
+7V, -10V
132 pF @ 400 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-PDFN(8x8)
8-VDFN 노출형 패드
TO-252-3
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
onsemi
5,119
재고 있음
1 : ₩2,123.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,175.19200
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
52m옴 @ 10A, 10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1024 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
DPAK
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
PG-HSOF-8-2
IPT60R102G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Infineon Technologies
1,610
재고 있음
1 : ₩7,124.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩2,960.17150
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
23A(Tc)
10V
102m옴 @ 7.8A, 10V
4V @ 390µA
34 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 400 V
-
141W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
9,945
재고 있음
1 : ₩1,539.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩600.41080
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
12m옴 @ 10A, 10V
2.5V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2193 pF @ 30 V
-
12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
SIHD5N80AE-GE3
SQD23N06-31L_GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Vishay Siliconix
3,180
재고 있음
1 : ₩2,821.00000
컷 테이프(CT)
2,000 : ₩952.12250
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
23A(Tc)
4.5V, 10V
31m옴 @ 15A, 10V
2.5V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
845 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
TO-252AA
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
TO-220-3
FCP165N60E
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
onsemi
1,099
재고 있음
15
대체 재고품
1 : ₩3,690.00000
튜브
1 : ₩6,255.00000
튜브
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
23A(Tc)
10V
165m옴 @ 11.5A, 10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2434 pF @ 380 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-220-3
TO-220-3
TO-263-3
SIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Vishay Siliconix
887
재고 있음
1 : ₩4,374.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
23A(Tc)
10V
158m옴 @ 12A, 10V
4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±30V
2418 pF @ 100 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
PG-TO220-3-1
IPP50R140CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
Infineon Technologies
182
재고 있음
1 : ₩5,813.00000
튜브
튜브
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
550 V
23A(Tc)
10V
140m옴 @ 14A, 10V
3.5V @ 930µA
64 nC @ 10 V
±20V
2540 pF @ 100 V
-
192W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-247-3 AD EP
FCH165N60E
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
onsemi
139
재고 있음
1 : ₩6,155.00000
튜브
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
600 V
23A(Tc)
10V
165m옴 @ 11.5A, 10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
2434 pF @ 380 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT22F80B
MOSFET N-CH 800V 23A TO247
Microchip Technology
262
재고 있음
1 : ₩12,495.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
800 V
23A(Tc)
10V
500m옴 @ 12A, 10V
5V @ 1mA
150 nC @ 10 V
±30V
4595 pF @ 25 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-247 [B]
TO-247-3
BUK7626-100B,118
BUK9675-100A,118
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Nexperia USA Inc.
13,160
재고 있음
1 : ₩2,208.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩834.18500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
5V, 10V
72m옴 @ 10A, 10V
2V @ 1mA
-
±15V
1704 pF @ 25 V
-
99W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
보기
/ 141

23A(Tc) 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.