Vishay Siliconix 단일 FET, MOSFET

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드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
438,407
재고 있음
1 : ₩484.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩100.54667
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
300mA(Ta)
4.5V, 10V
2옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
109,767
재고 있음
1 : ₩624.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.22000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
530mA(Ta)
1.5V, 4.5V
420m옴 @ 500mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-89-3
SC-89, SOT-490
SI1031X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
Vishay Siliconix
59,098
재고 있음
1 : ₩781.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩170.58533
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
630mA(Ta)
1.5V, 4.5V
396m옴 @ 600mA, 4.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
240mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-75A
SC-75, SOT-416
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Vishay Siliconix
60,248
재고 있음
1 : ₩796.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩174.81567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.5A(Ta), 5.9A(Tc)
1.8V, 4.5V
30m옴 @ 4A, 4.5V
1V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±8V
735 pF @ 10 V
-
960mW(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
429,317
재고 있음
1 : ₩968.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩219.21167
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
5A(Tc)
4.5V, 10V
42m옴 @ 3.8A, 10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
113,129
재고 있음
1 : ₩968.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩219.21167
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
8 V
5.8A(Tc)
1.8V, 4.5V
35m옴 @ 4.4A, 4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1302DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
6,959
재고 있음
1 : ₩968.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩219.21167
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
1.4A(Tc)
1.8V, 4.5V
150m옴 @ 1.4A, 4.5V
800mV @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±8V
272 pF @ 10 V
-
500mW(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
58,722
재고 있음
1 : ₩1,062.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩241.57600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
7A(Tc)
4.5V, 10V
31m옴 @ 7.9A, 10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
553 pF @ 20 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
Vishay Siliconix
11,690
재고 있음
1 : ₩1,062.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩244.60467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
1.7A(Tc)
4.5V, 10V
370m옴 @ 1.25A, 10V
2.5V @ 250µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
265 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1424EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Vishay Siliconix
84,336
재고 있음
1 : ₩1,077.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩246.00433
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.9A(Tc)
2.5V, 10V
58m옴 @ 3.1A, 10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
-
2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DG447DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
86,132
재고 있음
1 : ₩1,093.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩249.71967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
8A(Tc)
4.5V, 10V
26m옴 @ 7.2A, 10V
2.5V @ 250µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
405 pF @ 15 V
-
3.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-TSOP
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
140,531
재고 있음
1 : ₩1,108.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩254.35067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.8A(Tc)
1.8V, 4.5V
66m옴 @ 2.5A, 4.5V
1V @ 250µA
23 nC @ 8 V
±8V
561 pF @ 10 V
-
960mW(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
68,824
재고 있음
1 : ₩1,108.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩254.35067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.6A(Tc)
2.5V, 4.5V
68m옴 @ 2.9A, 4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
320 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Vishay Siliconix
8,647
재고 있음
1 : ₩1,108.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩256.42700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6.1A(Ta), 7.5A(Tc)
4.5V, 10V
22.7m옴 @ 5A, 10V
2.2V @ 250µA
25.2 nC @ 10 V
+16V, -20V
980 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta), 2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
40,569
재고 있음
1 : ₩1,124.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩261.03700
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2.8A(Tc)
4.5V, 10V
177m옴 @ 2.4A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Vishay Siliconix
32,139
재고 있음
1 : ₩1,140.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩264.25800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
8A(Tc)
4.5V, 10V
24m옴 @ 12A, 10V
2.5V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 15 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA477EDJ-T1-GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,995
재고 있음
1 : ₩1,140.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩264.02400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
7.8A(Tc)
1.8V, 4.5V
28m옴 @ 5A, 4.5V
1.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±8V
525 pF @ 10 V
-
13.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
125,994
재고 있음
1 : ₩1,155.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩265.86067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V, 4.5V
112m옴 @ 2.8A, 4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta), 1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
86,031
재고 있음
1 : ₩1,186.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩277.28233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V, 4.5V
112m옴 @ 2.8A, 4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta), 1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,545
재고 있음
1 : ₩1,202.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩280.91967
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
6A(Tc)
1.5V, 4.5V
28m옴 @ 5A, 4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1424EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Vishay Siliconix
37,573
재고 있음
1 : ₩1,218.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩285.68600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Tc)
10V
54m옴 @ 4.3A, 10V
1.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±12V
-
-
1.6W(Ta), 2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SIA477EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
9,035
재고 있음
1 : ₩1,218.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩286.36233
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
12A(Tc)
2.5V, 10V
26m옴 @ 9A, 10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta), 19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
103,492
재고 있음
1 : ₩1,280.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩299.89133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V, 4.5V
57m옴 @ 3.6A, 4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
77,003
재고 있음
1 : ₩1,280.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩299.89133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.5A(Tc)
4.5V, 10V
88m옴 @ 3.5A, 10V
3V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta), 1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIB433EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Vishay Siliconix
66,309
재고 있음
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Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
6.3A(Tc)
4.5V, 10V
185m옴 @ 1.9A, 10V
3V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
130 pF @ 50 V
-
2.4W(Ta), 13W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
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표면 실장
PowerPAK® SC-75-6
PowerPAK® SC-75-6
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단일 FET, MOSFET


단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

  • 인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
  • 공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

  1. 높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
  2. 낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
  3. 높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.