Vishay Siliconix 단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 4,645
계열
-DEEFELFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®SSkyFET®, TrenchFET®SkyFET®, TrenchFET® Gen IIIThunderFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen II
포장
Digi-Reel®벌크스트립컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
8 V12 V16 V20 V22 V25 V30 V40 V45 V50 V55 V60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
50mA(Ta)115mA(Ta)140mA(Ta)155mA(Ta)185mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)240mA(Ta)270mA(Ta)300mA(Ta)320mA(Ta)320mA(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.2V, 4.5V1.5V1.5V, 3.7V1.5V, 4.5V1.7V, 4.5V1.8V, 4.5V2V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.7V, 4.5V3V, 10V3.3V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.4m옴 @ 30A, 10V0.47m옴 @ 20A, 10V0.52m옴 @ 20A, 10V0.53m옴 @ 20A, 10V0.57m옴 @ 20A, 10V0.58m옴 @ 20A, 10V0.6m옴 @ 15A, 10V0.62m옴 @ 20A, 10V0.67m옴 @ 20A, 10V0.69m옴 @ 20A, 10V0.74m옴 @ 20A, 10V0.76m옴 @ 15A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
400mV @ 250µA(최소)450mV @ 100µA(최소)450mV @ 1mA(최소)450mV @ 250µA(최소)450mV @ 2mA(최소)500mV @ 250µA(최소)600mV @ 1.2mA(최소)600mV @ 1mA(최소)600mV @ 250µA(최소)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(최소)750mV @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V0.71 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.84 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V1.2 nC @ 8 V1.4 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V1.49 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±5V±6V±8V±9V±10V+12V, -8V±12V+16V, -12V+16V, -20V±16V+20V, -16V±20V±25V±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3.5 pF @ 15 V16 pF @ 10 V17 pF @ 15 V21 pF @ 5 V21 pF @ 6 V23 pF @ 25 V24 pF @ 30 V30 pF @ 25 V31 pF @ 10 V31 pF @ 15 V33 pF @ 15 V35 pF @ 10 V
FET 특징
-쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)전류 감지
내전력(최대)
150mW(Ta)170mW(Ta)190mW(Ta)190mW(Ta), 200mW(Tc)200mW(Ta)220mW(Ta)236mW(Ta)240mW(Ta)240mW(Tc)250mW(Ta)250mW(Tc)280mW(Ta)
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
등급
-자동차
인증
-AEC-Q101
실장 유형
-스루홀표면 실장표면 실장, 웨터블 플랭크
공급 장치 패키지
4-HVMDIP4-Micro Foot(1x1)4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)4-MICRO FOOT®(1x1)4-Microfoot4-WLCSP(1.6x1.6)6-Micro Foot™(1.5x1)6-Micro Foot™(2.4x2)6-microfoot6-TSOP8-SO
패키지/케이스
4-DIP(0.300", 7.62mm)4-UFBGA4-UFBGA, WLCSP4-XFBGA4-XFBGA, CSPBGA6-MICRO FOOT®CSP6-PowerVDFN6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-UFBGA8-PowerBSFN8-PowerSMD, 갈매기날개형8-PowerTDFN
재고 옵션
환경 옵션
미디어
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포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
819,387
재고 있음
1 : ₩404.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩68.58033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
300mA(Ta)
4.5V, 10V
2옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
437,740
재고 있음
1 : ₩404.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩68.58033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
300mA(Ta)
4.5V, 10V
2옴 @ 500mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
152,989
재고 있음
1 : ₩534.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩145.01267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V, 4.5V
112m옴 @ 2.8A, 4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta), 1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,390
재고 있음
1 : ₩534.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩145.01267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V, 4.5V
112m옴 @ 2.8A, 4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta), 1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
23,534
재고 있음
1 : ₩563.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩123.35133
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
5.9A(Tc)
1.8V, 4.5V
32m옴 @ 4A, 4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
153,702
재고 있음
1 : ₩577.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩154.58567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V, 4.5V
57m옴 @ 3.6A, 4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
41,079
재고 있음
1 : ₩577.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩194.48000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
6A(Tc)
1.5V, 4.5V
28m옴 @ 5A, 4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
33,166
재고 있음
1 : ₩577.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩194.48000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
7.6A(Tc)
4.5V, 10V
29m옴 @ 5.4A, 10V
2.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta), 2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
28,628
재고 있음
1 : ₩577.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩193.40300
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.6A(Tc)
2.5V, 4.5V
68m옴 @ 2.9A, 4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
320 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
47,925
재고 있음
1 : ₩591.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩159.60567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
3.3A(Ta), 3.6A(Tc)
4.5V, 10V
60m옴 @ 3.2A, 10V
2.2V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
113,215
재고 있음
1 : ₩606.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩204.14933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Tc)
1.8V, 4.5V
31.8m옴 @ 5A, 4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta), 2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,851
재고 있음
1 : ₩606.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩204.14933
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.4A(Tc)
1.5V, 4.5V
61m옴 @ 3.2A, 4.5V
1V @ 250µA
21 nC @ 8 V
±8V
-
-
1.25W(Ta), 1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
155,857
재고 있음
1 : ₩620.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩208.44800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
500mA(Ta)
1.8V, 4.5V
700m옴 @ 600mA, 4.5V
900mV @ 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-75A
SC-75, SOT-416
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
105,398
재고 있음
1 : ₩620.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩112.76333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
530mA(Ta)
1.5V, 4.5V
420m옴 @ 500mA, 4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-89-3
SC-89, SOT-490
Pkg 5868
SI1013R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Vishay Siliconix
85,569
재고 있음
1 : ₩620.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩208.44800
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
350mA(Ta)
1.8V, 4.5V
1.2옴 @ 350mA, 4.5V
450mV @ 250µA(최소)
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-75A
SC-75, SOT-416
PowerPak SC-70-6 Single
SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
85,175
재고 있음
1 : ₩635.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩214.89100
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
12A(Tc)
2.5V, 10V
20m옴 @ 6A, 10V
1.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±12V
2140 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta), 19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
57,020
재고 있음
1 : ₩635.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩171.00600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
8 V
5.8A(Tc)
1.8V, 4.5V
35m옴 @ 4.4A, 4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW(Ta), 1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
35,235
재고 있음
1 : ₩635.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩171.00600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
1.4A(Tc)
2.5V, 10V
132m옴 @ 1.4A, 10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW(Ta), 500mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
31,367
재고 있음
1 : ₩635.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩171.00600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
5.6A(Tc)
4.5V, 10V
42밀리옴 @ 4.3A, 10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta), 2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
23,439
재고 있음
1 : ₩649.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩173.74200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
2.2A(Ta)
2.5V, 4.5V
100m옴 @ 2.8A, 4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
70,243
재고 있음
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩177.16067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V, 10V
70m옴 @ 2.5A, 10V
3V @ 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
35,496
재고 있음
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩223.48833
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
12A(Tc)
2.5V, 10V
26m옴 @ 9A, 10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta), 19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
30,430
재고 있음
1 : ₩664.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩177.16067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V, 10V
70m옴 @ 2.5A, 10V
3V @ 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
768,678
재고 있음
1 : ₩678.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩184.45467
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
185mA(Ta)
4.5V, 10V
6옴 @ 500mA, 10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
33,971
재고 있음
1 : ₩678.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩182.40440
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
12.6A(Tc)
4.5V, 10V
19m옴 @ 9A, 10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOIC
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
보기
/ 4,645

Vishay Siliconix 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.