TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB 단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 3,720
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYS
계열
-AlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
포장
Digi-Reel®박스벌크스트립컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
-N채널P채널
기술
-GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
20 V24 V25 V28 V30 V33 V36 V40 V50 V55 V60 V65 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200mA(Tc)600mA(Tc)750mA(Tc)800mA(Tc)800mA(Tj)1A(Tc)1.4A(Tc)1.5A(Tc)1.6A(Tc)1.6A(Tj)1.7A(Tc)1.8A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
0V1.8V, 4.5V2.5V, 4.5V2.5V, 5V2.8V, 10V4V, 10V4V, 5V4.3V, 10V4.5V4.5V, 10V4.5V, 5V4.5V, 7V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
0.74m옴 @ 125A, 10V0.9m옴 @ 100A, 10V1m옴 @ 25A, 10V1.1m옴 @ 90A, 10V1.15m옴 @ 100A, 10V1.15m옴 @ 60A, 10V1.2m옴 @ 100A, 10V1.2m옴 @ 80A, 10V1.25m옴 @ 100A, 10V1.25m옴 @ 60A, 10V1.3m옴 @ 100A, 10V1.3m옴 @ 25A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
700mV @ 250µA(최소)1V @ 250µA1V @ 250µA(최소)1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 100µA2V @ 110µA2V @ 125µA2V @ 130µA2V @ 150µA2V @ 16µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
3.76 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.2 nC @ 10 V5.3 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.1 nC @ 5 V6.4 nC @ 5 V6.5 nC @ 10 V6.9 nC @ 10 V7 nC @ 10 V7.2 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
+5V, -16V±8V+10V, -20V±10V±12V12V±15V±16V±18V+20V, -10V+20V, -16V±20V20V+25V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
116 pF @ 25 V124 pF @ 100 V140 pF @ 25 V170 pF @ 25 V177 pF @ 100 V180 pF @ 25 V200 pF @ 25 V210 pF @ 75 V220 pF @ 25 V225 pF @ 20 V225 pF @ 25 V226 pF @ 100 V
FET 특징
-공핍 모드
내전력(최대)
1.04W(Ta), 62.5W(Tc)1.2W(Ta), 75W(Tc)1.25W(Ta), 74.4W(Tc)1.35W(Ta), 50W(Tc)1.5W1.5W(Ta), 104W(Tc)1.5W(Ta), 119W(Tc)1.5W(Ta), 125W(Tc)1.5W(Ta), 156W(Tc)1.5W(Ta), 213W(Tc)1.5W(Ta), 45W(Tc)1.5W(Ta), 47W(Tc)
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)
등급
-자동차
인증
-AEC-Q101
공급 장치 패키지
D2PAKD2PAK-3(TO-263)D2PAK(TO-263)D2PAK+H2Pak-2H2PAK-2LPTLLPTSPG-TO-263-3-2PG-TO220-3-5PG-TO263-2PG-TO263-3
재고 옵션
환경 옵션
미디어
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제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
TO-263AB
IRF510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Vishay Siliconix
23,153
재고 있음
1 : ₩1,457.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
5.6A(Tc)
10V
540m옴 @ 3.4A, 10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta), 43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Infineon Technologies
3,297
재고 있음
1 : ₩1,846.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩993.23750
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
19A(Tc)
10V
100m옴 @ 10A, 10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta), 68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN8R0-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK
Nexperia USA Inc.
2,107
재고 있음
1 : ₩2,005.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,085.26750
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
77A(Tc)
10V
7.6m옴 @ 25A, 10V
4V @ 1mA
21 nC @ 10 V
±20V
1262 pF @ 12 V
-
86W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
9,550
재고 있음
1 : ₩2,164.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,167.23625
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
33A(Tc)
10V
44m옴 @ 16A, 10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Infineon Technologies
13,013
재고 있음
1 : ₩2,193.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,227.91125
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
31A(Tc)
10V
60m옴 @ 16A, 10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta), 110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Infineon Technologies
773
재고 있음
1 : ₩2,207.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,192.91250
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
55 V
47A(Tc)
4V, 10V
22m옴 @ 25A, 10V
2V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta), 110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
D2PAK SOT404
PSMN016-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,161
재고 있음
1 : ₩2,250.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,257.91500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
57A(Tj)
10V
16m옴 @ 15A, 10V
4V @ 1mA
49 nC @ 10 V
±20V
2404 pF @ 50 V
-
148W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Infineon Technologies
34,516
재고 있음
1 : ₩2,265.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,264.44250
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
18A(Tc)
10V
150m옴 @ 11A, 10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263AB
IRF540STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Vishay Siliconix
25,037
재고 있음
1 : ₩2,294.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,368.19250
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
28A(Tc)
10V
77m옴 @ 17A, 10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta), 150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
7,893
재고 있음
1 : ₩2,669.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,494.26500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
195A(Tc)
6V, 10V
1.8m옴 @ 100A, 10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263AB
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
D2PAK SOT404
PHB45NQ15T,118
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,650
재고 있음
1 : ₩2,669.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,490.15375
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
N채널
MOSFET(금속 산화물)
150 V
45.1A(Tc)
10V
42m옴 @ 20A, 10V
4V @ 1mA
32 nC @ 10 V
±20V
1770 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
D2PAK SOT404
PHB33NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Nexperia USA Inc.
5,974
재고 있음
1 : ₩2,683.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,499.81875
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
최종 구매 가능일
N채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
32.7A(Tc)
10V
77m옴 @ 15A, 10V
4V @ 1mA
32.2 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
1,863
재고 있음
1 : ₩2,755.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,539.45125
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
23A(Tc)
10V
117m옴 @ 14A, 10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta), 110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Infineon Technologies
40,153
재고 있음
1 : ₩2,770.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,546.17625
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
36A(Tc)
4V, 10V
44m옴 @ 18A, 10V
2V @ 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta), 140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Infineon Technologies
16,189
재고 있음
1 : ₩2,798.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,564.69375
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
59A(Tc)
10V
18m옴 @ 35A, 10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
onsemi
210
재고 있음
1 : ₩2,827.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,582.00375
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
11.5A(Tc)
10V
470m옴 @ 5.75A, 10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
3.13W(Ta), 120W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
onsemi
2,176
재고 있음
1 : ₩2,842.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,587.05250
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
27A(Tc)
10V
70m옴 @ 13.5A, 10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta), 120W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263
FDB13AN06A0
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
onsemi
5,710
재고 있음
1 : ₩3,029.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,694.03000
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
10.9A(Ta), 62A(Tc)
6V, 10V
13.5m옴 @ 62A, 10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 25 V
-
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263
FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
onsemi
1,494
재고 있음
1 : ₩3,029.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,697.38375
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
300 V
28A(Tc)
10V
129m옴 @ 14A, 10V
5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263AB
IRF640SPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Vishay Siliconix
172
재고 있음
1 : ₩3,058.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
18A(Tc)
10V
180m옴 @ 11A, 10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta), 130W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
D2PAK SOT404
BUK9611-80E,118
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,870
재고 있음
1 : ₩3,188.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,779.78625
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
75A(Tc)
5V
10m옴 @ 20A, 10V
2.1V @ 1mA
48.8 nC @ 5 V
±10V
7149 pF @ 25 V
-
182W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
D2PAK
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263AB
IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
3,794
재고 있음
1 : ₩3,188.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
17A(Tc)
4V, 5V
180m옴 @ 10A, 5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta), 125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263AB
IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
3,790
재고 있음
1 : ₩3,188.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,781.76875
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
200 V
17A(Tc)
4V, 5V
180m옴 @ 10A, 5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta), 125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
onsemi
691
재고 있음
1 : ₩3,202.00000
컷 테이프(CT)
800 : ₩1,790.17125
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
250 V
33A(Tc)
10V
94m옴 @ 16.5A, 10V
5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
2135 pF @ 25 V
-
235W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TO-263(D2PAK)
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB17N25S3100ATMA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Infineon Technologies
7,735
재고 있음
1 : ₩3,260.00000
컷 테이프(CT)
1,000 : ₩1,548.51700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
250 V
17A(Tc)
10V
100m옴 @ 17A, 10V
4V @ 54µA
19 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
자동차
AEC-Q101
표면 실장
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
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/ 3,720

TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.