Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 1162 KRW
Availability: InStock

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SSM6J212FE,LF
DigiKey 제품 번호	SSM6J212FELFTR-ND - 테이프 및 릴(TR) SSM6J212FELFCT-ND - 컷 테이프(CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	SSM6J212FE,LF
제품 요약	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 20 V 4A(Ta) 500mW(Ta) 표면 실장 ES6
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SSM6J212FE,LF 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	U-MOSVI
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	P채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	4A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	40.7m옴 @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	1V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	14.1 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)	±8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	970 pF @ 10 V
FET 특징	-
내전력(최대)	500mW(Ta)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	ES6
패키지/케이스	SOT-563, SOT-666
기준 제품 번호	SSM6J212

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