4A(Ta) 단일 FET, MOSFET

검색 결과 : 246
제조업체
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMeritek
계열
-DeepGATE™, STripFET™ H6eGaN®HEXFET®MDmesh™NexFET™PJWPowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSIVU-MOSVIU-MOSVII-HUMW
포장
Digi-Reel®벌크스트립컷 테이프(CT)테이프 및 릴(TR)튜브트레이
제품 현황
Digi-Key에서 공급 중단기존 설계 전용단종최종 구매 가능일활성
FET 유형
N채널P채널
기술
GaNFET(질화 갈륨)MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
12 V20 V25 V28 V30 V40 V45 V60 V65 V80 V100 V150 V
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.5V, 8V1.8V, 10V1.8V, 4.5V1.8V, 4V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.5V, 8V4V, 10V4.5V, 10V5V6V, 10V10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
20m옴 @ 6A, 4.5V22m옴 @ 4A, 4.5V26m옴 @ 2A, 4.5V29m옴 @ 4A, 4.5V29m옴 @ 6.4A, 4.5V30m옴 @ 4A, 4.5V31m옴 @ 4A, 4.5V32m옴 @ 5.1A, 4.5V33m옴 @ 4A, 4.5V34m옴 @ 1A, 4.5V35m옴 @ 4A, 10V35m옴 @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id
700mV @ 250µA0.9V @ 250µA  900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V1.34 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4 V3.3 nC @ 5 V3.6 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 30 V3.7 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
-8V-8V, 0V-6V+6V, -4V+6V, -8V±8V+10V, -20V±10V+12V, -5V+12V, -8V±12V±16V+20V, -25V±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
52 pF @ 20 V52 pF @ 32.5 V55 pF @ 50 V143 pF @ 10 V177 pF @ 100 V180 pF @ 10 V190 pF @ 30 V194 pF @ 240 V200 pF @ 10 V220 pF @ 25 V228 pF @ 50 V235 pF @ 15 V
FET 특징
-쇼트키 다이오드(본체)쇼트키 다이오드(분리형)
내전력(최대)
350mW(Ta)400mW(Ta), 12.5W(Tc)480mW(Ta), 7W(Tc)500mW(Ta)500mW(Ta), 8.33W(Tc)510mW(Ta)510mW(Ta), 4.15W(Tc)510mW(Ta), 7W(Tc)550mW(Ta)600mW(Ta)610mW(Ta), 8.3W(Tc)620mW(Ta), 77W(Tc)
작동 온도
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)
등급
-자동차
인증
-AEC-Q101
실장 유형
스루홀표면 실장
공급 장치 패키지
3-CPH3-MCPH4-WLCSP(0.78x0.78)6-CMFPAK6-CPH6-DFN(1.6x1.6)6-DFN(2x2)6-MCPH6-TSOP6-TSOP-F6-UDFN(2x2)8-DFN(5x6)
패키지/케이스
3-PowerVDFN3-SMD, SOT-23-3 변형3-SMD, 플랫 리드(Lead)3-XDFN3-XFDFN4-XFBGA, WLCSP6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-PowerWDFN6-PowerWFDFN6-SMD, 플랫 리드(Lead)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
재고 옵션
환경 옵션
미디어
MARKETPLACE 제품
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/ 246
제조업체 부품 번호
주문 가능 수량
가격
계열
포장
제품 현황
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
34,238
재고 있음
1 : ₩507.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩106.71333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
1.8V, 4.5V
56m옴 @ 2A, 4.5V
1V @ 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V, -8V
200 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
138,008
재고 있음
1 : ₩521.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.15767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
4V, 10V
71m옴 @ 3A, 10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
20,092
재고 있음
1 : ₩579.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩123.64167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
2.5V, 10V
50m옴 @ 4A, 10V
1.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±12V
340 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
SOT-23-3
DMN2056U-7
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
122,163
재고 있음
1 : ₩594.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩129.42733
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4A(Ta)
1.5V, 4.5V
38m옴 @ 3.6A, 4.5V
1V @ 250µA
4.3 nC @ 4.5 V
±8V
339 pF @ 10 V
-
940mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
224,872
재고 있음
4,143,000
공장
1 : ₩623.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.15767
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
2.5V, 10V
52m옴 @ 4A, 10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3422
AO3401A
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
638,691
재고 있음
1 : ₩666.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩145.68500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
2.5V, 10V
44m옴 @ 4.3A, 10V
1.3V @ 250µA
12.2 nC @ 4.5 V
±12V
1200 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
AO3422
AO3402
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
12,711
재고 있음
1 : ₩666.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩145.68500
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
2.5V, 10V
55m옴 @ 4A, 10V
1.4V @ 250µA
4.34 nC @ 4.5 V
±12V
390 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
SG6858TZ
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
onsemi
15,519
재고 있음
1 : ₩1,274.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩307.84900
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
4.5V, 10V
50m옴 @ 4A, 10V
3V @ 250µA
8.1 nC @ 5 V
±25V
470 pF @ 15 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SuperSOT™-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TSMT3
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
21,602
재고 있음
1 : ₩1,535.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩378.47667
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4A(Ta)
1.5V, 4.5V
35m옴 @ 4A, 4.5V
1.3V @ 1mA
8 nC @ 4.5 V
±10V
680 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
TSMT3
SC-96
SOT223-3L
NDT3055
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
onsemi
12,643
재고 있음
4,000
공장
1 : ₩2,099.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩535.84425
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
4A(Ta)
10V
100m옴 @ 4A, 10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 30 V
-
3W(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223-4
TO-261-4, TO-261AA
FDT86106LZ
NDT3055L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
onsemi
17,320
재고 있음
44,000
공장
1 : ₩2,215.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩571.89875
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
4A(Ta)
4.5V, 10V
100m옴 @ 4A, 10V
2V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 155°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-223-4
TO-261-4, TO-261AA
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
9,565
재고 있음
1 : ₩4,459.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩1,375.29600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
GaNFET(질화 갈륨)
100 V
4A(Ta)
5V
160m옴 @ 500mA, 5V
2.5V @ 250µA
0.48 nC @ 5 V
+6V, -4V
55 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
다이
다이
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
5,189
재고 있음
1 : ₩6,211.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,153.42400
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
GaNFET(질화 갈륨)
40 V
4A(Ta)
5V
110m옴 @ 500mA, 5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V, -4V
52 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
다이
다이
eGaN Series
EPC8009
GANFET N-CH 65V 4A DIE
EPC
6,027
재고 있음
1 : ₩6,659.00000
컷 테이프(CT)
2,500 : ₩2,370.57600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
GaNFET(질화 갈륨)
65 V
4A(Ta)
5V
130m옴 @ 500mA, 5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V, -4V
52 pF @ 32.5 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
다이
다이
1,337
재고 있음
1 : ₩16,923.00000
튜브
-
튜브
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
1500 V
4A(Ta)
15V
7옴 @ 2A, 15V
-
-
±20V
1700 pF @ 10 V
-
125W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
스루홀
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
BC849C
MMFTP3401
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
Diotec Semiconductor
3,531
재고 있음
1 : ₩376.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩76.32167
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
2.5V, 10V
65m옴 @ 4A, 10V
1.3V @ 250µA
-
±12V
954 pF @ 0 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
18,943
재고 있음
1 : ₩478.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩101.19267
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4A(Ta)
1.8V, 4.5V
57m옴 @ 4A, 4.5V
1.2V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±12V
756 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
12,918
재고 있음
1 : ₩507.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩108.94267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
4V, 10V
71m옴 @ 3A, 10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
+10V, -20V
280 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
12,028
재고 있음
1 : ₩521.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.15767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4A(Ta)
1.5V, 4.5V
55m옴 @ 3A, 4.5V
1V @ 1mA
10.4 nC @ 4.5 V
±8V
630 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
2,396
재고 있음
1 : ₩521.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.15767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
1.8V, 4.5V
55m옴 @ 4A, 4.5V
-
-
±12V
190 pF @ 30 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
18,700
재고 있음
1 : ₩536.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩115.56333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
4V, 10V
45m옴 @ 4A, 10V
2.2V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
+20V, -25V
492 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
AO3422
AO3434A
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
32,406
재고 있음
1 : ₩594.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩114.75267
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
기존 설계 전용
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
2.5V, 10V
52m옴 @ 4A, 10V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
245 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 변형
SOT-23-3
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
41,584
재고 있음
324,000
공장
1 : ₩608.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩119.97900
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
2.5V, 10V
60m옴 @ 4A, 10V
1.5V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
464.3 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
9,360
재고 있음
1 : ₩608.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩132.84867
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4A(Ta)
1.5V, 4.5V
33m옴 @ 4A, 4.5V
1V @ 1mA
3.6 nC @ 4.5 V
±8V
410 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SOT-23-3
DMG3415U-7
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
25,064
재고 있음
1 : ₩637.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩124.07567
테이프 및 릴(TR)
-
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4A(Ta)
1.8V, 4.5V
39m옴 @ 4A, 4.5V
1V @ 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±8V
294 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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4A(Ta) 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.