Toshiba Semiconductor and Storage 단일 FET, MOSFET

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FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(th)(최대) @ Id
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
Vgs(최대)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
FET 특징
내전력(최대)
작동 온도
등급
인증
실장 유형
공급 장치 패키지
패키지/케이스
58,025
재고 있음
1 : ₩290.00000
컷 테이프(CT)
10,000 : ₩49.05320
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
400mA(Ta)
4.5V, 10V
1.5옴 @ 100mA, 10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
CST3
SC-101, SOT-883
7,458
재고 있음
1 : ₩333.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩57.36438
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
100mA(Ta)
2.5V, 4V
3.6옴 @ 10mA, 4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
VESM
SOT-723
5,719,878
재고 있음
1 : ₩449.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩78.70067
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
800mA(Ta)
1.5V, 4.5V
235m옴 @ 800mA, 4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SSM
SC-75, SOT-416
100,128
재고 있음
1 : ₩507.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩108.94267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
1.8V, 10V
42m옴 @ 5A, 10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
34,238
재고 있음
1 : ₩507.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩106.71333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
1.8V, 4.5V
56m옴 @ 2A, 4.5V
1V @ 1mA
2.2 nC @ 4.5 V
+12V, -8V
200 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
138,008
재고 있음
1 : ₩521.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.15767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
4A(Ta)
4V, 10V
71m옴 @ 3A, 10V
2V @ 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
56,082
재고 있음
1 : ₩521.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩111.15767
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
6A(Ta)
1.8V, 10V
42m옴 @ 5A, 10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
15,128
재고 있음
1 : ₩521.00000
컷 테이프(CT)
8,000 : ₩96.47700
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
800mA(Ta)
1.5V, 4.5V
235m옴 @ 800mA, 4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
VESM
SOT-723
482,706
재고 있음
1 : ₩594.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩128.57333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.5V, 4.5V
29.8m옴 @ 3A, 4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
138,504
재고 있음
1 : ₩594.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩128.57333
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
4V, 10V
300m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V, -20V
330 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
21,528
재고 있음
1 : ₩651.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩143.41200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
6A(Ta)
1.8V, 8V
22.1m옴 @ 6A, 8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
304,925
재고 있음
1 : ₩695.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩153.82567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
6A(Ta)
1.8V, 8V
17.6m옴 @ 6A, 8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
36,485
재고 있음
1 : ₩695.00000
컷 테이프(CT)
4,000 : ₩147.69600
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
1.8A(Ta)
1.8V, 8V
195m옴 @ 1A, 8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
ES6
SOT-563, SOT-666
35,803
재고 있음
1 : ₩811.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩184.29433
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
5.5A(Ta)
1.5V, 4.5V
29.8m옴 @ 3A, 4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
17,003
재고 있음
1 : ₩854.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩194.23033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.2A(Ta)
1.5V, 4V
28m옴 @ 3A, 4V
1V @ 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
17,404
재고 있음
1 : ₩869.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩198.18267
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
12 V
14A(Ta)
-
9.1m옴 @ 4A, 8V
1V @ 1mA
47 nC @ 4.5 V
-
3350 pF @ 6 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 노출형 패드
103,931
재고 있음
1 : ₩999.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩233.11500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
20 V
4.4A(Ta)
1.5V, 4.5V
25.8m옴 @ 4A, 4.5V
1V @ 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
±8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
UFM
3-SMD, 플랫 리드(Lead)
36,334
재고 있음
1 : ₩999.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩233.11500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
2A(Ta)
3.3V, 10V
300m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
26,269
재고 있음
1 : ₩999.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩233.11500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
15A(Ta)
4.5V, 10V
8.9m옴 @ 4A, 10V
2.1V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TA)
-
-
표면 실장
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 노출형 패드
16,799
재고 있음
1 : ₩999.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩233.11500
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
30 V
10A(Ta)
4V, 10V
20m옴 @ 4A, 10V
2.2V @ 250µA
20.4 nC @ 4.5 V
+20V, -25V
1150 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
표면 실장
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 노출형 패드
56,910
재고 있음
1 : ₩1,071.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩252.11833
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V, 10V
69m옴 @ 2A, 10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
175°C
-
-
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
2,233
재고 있음
1 : ₩1,288.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩311.41033
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
활성
P채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
3.5A(Ta)
4V, 10V
134m옴 @ 1A, 10V
2V @ 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V, -20V
660 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C
자동차
AEC-Q101
표면 실장
SOT-23F
SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
12,744
재고 있음
1 : ₩1,419.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩347.51567
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
60 V
26A(Tc)
4.5V, 10V
11.4m옴 @ 13A, 10V
2.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW(Ta), 61W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-TSON 고급(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
4,839
재고 있음
1 : ₩1,433.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩351.09633
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
40 V
48A(Tc)
4.5V, 10V
9.7m옴 @ 15A, 4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
표면 실장
8-SOP 고급(5x5)
8-PowerVDFN
10,252
재고 있음
1 : ₩1,477.00000
컷 테이프(CT)
3,000 : ₩367.12200
테이프 및 릴(TR)
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
활성
N채널
MOSFET(금속 산화물)
80 V
34A(Tc)
6V, 10V
19m옴 @ 17A, 10V
3.5V @ 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW(Ta), 57W(Tc)
175°C
-
-
표면 실장
8-TSON 고급(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
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Toshiba Semiconductor and Storage 단일 FET, MOSFET


이산 소자 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전력 변환, 모터 제어기, 무접점 조명, 높은 전류가 흐르면서도 높은 주파수에서 스위치로 전원을 켜고 끌 수 있는 특성을 활용하는 기타 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 수백 볼트 이하의 정격 전압이 필요한 응용 분야에서는 거의 모두 이 장치를 사용합니다. 그 이상의 정격 전압에는 IGBT와 같은 다른 유형의 장치가 더 적합합니다.