Toshiba Semiconductor and Storage 단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	93,190 재고 있음	1 : ₩211.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩39.34867 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	200mA(Ta)	4.5V, 10V	3.9옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	167,275 재고 있음	1 : ₩226.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩42.31967 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	400mA(Ta)	4.5V, 10V	1.5옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	95,544 재고 있음	1 : ₩302.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩59.15367 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	200mA(Ta)	1.5V, 4.5V	2.2옴 @ 100mA, 4.5V	1V @ 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW(Ta)	150°C(TA)	-	-	표면 실장	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	11,442 재고 있음	1 : ₩317.15755 컷 테이프(CT) 10,000 : ₩51.09710 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	400mA(Ta)	4.5V, 10V	1.5옴 @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	CST3	SC-101, SOT-883
SSM3K15AMFV,L3F MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	147,997 재고 있음	1 : ₩347.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩59.75450 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	100mA(Ta)	2.5V, 4V	3.6옴 @ 10mA, 4V	1.5V @ 100µA	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
SSM3K35CTC,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C Toshiba Semiconductor and Storage	124,480 재고 있음	1 : ₩377.00000 컷 테이프(CT) 10,000 : ₩62.19440 테이프 및 릴(TR)	U-MOSIII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	250mA(Ta)	1.2V, 4.5V	1.1옴 @ 150mA, 4.5V	1V @ 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	CST3C	SC-101, SOT-883
SSM3K56FS,LF MOSFET N-CH 20V 800MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	4,094,847 재고 있음	1 : ₩483.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩87.10200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	800mA(Ta)	1.5V, 4.5V	235m옴 @ 800mA, 4.5V	1V @ 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	35,952 재고 있음	1 : ₩543.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩113.48200 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3K339R,LF MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	100,321 재고 있음	1 : ₩558.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩115.78933 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	2A(Ta)	1.8V, 8V	185m옴 @ 1A, 8V	1.2V @ 1mA	1.1 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	84,756 재고 있음	1 : ₩558.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩100.49688 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	800mA(Ta)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	50,817 재고 있음	1 : ₩558.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩115.78933 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	4A(Ta)	4V, 10V	71m옴 @ 3A, 10V	2V @ 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	26,618 재고 있음	1 : ₩559.90170 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩115.78933 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3K56ACT,L3F MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	98,305 재고 있음	1 : ₩573.00000 컷 테이프(CT) 10,000 : ₩101.49290 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	1.4A(Ta)	1.5V, 4.5V	235m옴 @ 800mA, 4.5V	1V @ 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	CST3	SC-101, SOT-883
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	116,777 재고 있음	1 : ₩633.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩133.93067 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	6A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	34,914 재고 있음	1 : ₩633.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩133.93067 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	2A(Ta)	4V, 10V	300m옴 @ 1A, 10V	2V @ 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J358R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	23,604 재고 있음	1 : ₩709.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩149.38767 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	6A(Ta)	1.8V, 8V	22.1m옴 @ 6A, 8V	1V @ 1mA	38.5 nC @ 8 V	±10V	1331 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J338R,LF MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	79,189 재고 있음	1 : ₩754.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩160.23500 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	12 V	6A(Ta)	1.8V, 8V	17.6m옴 @ 6A, 8V	1V @ 1mA	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1400 pF @ 6 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J117TU,LF MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	9,113 재고 있음	1 : ₩754.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩162.39133 테이프 및 릴(TR)	U-MOSII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	2A(Ta)	4V, 10V	117m옴 @ 1A, 10V	2.6V @ 1mA	-	±20V	280 pF @ 15 V	-	500mW(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	UFM	3-SMD, 플랫 리드(Lead)
SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN Toshiba Semiconductor and Storage	5,900 재고 있음	1 : ₩754.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩162.39133 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	2A(Ta)	1.8V, 8V	185m옴 @ 1A, 8V	1.2V @ 1mA	2.2 nC @ 4.2 V	±12V	130 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	6-UDFN(2x2)	6-UDFN 노출형 패드
SSM3K357R,LF MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	16,083 재고 있음	1 : ₩784.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩170.94200 테이프 및 릴(TR)	π-MOSV	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	650mA(Ta)	3V, 5V	1.8옴 @ 150mA, 5V	2V @ 1mA	1.5 nC @ 5 V	±12V	60 pF @ 12 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J351R,LF MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	21,260 재고 있음	1 : ₩829.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩181.51800 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	3.5A(Ta)	4V, 10V	134m옴 @ 1A, 10V	2V @ 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	2W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J133TU,LF MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	33,039 재고 있음	1 : ₩875.86110 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩191.97333 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	5.5A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	UFM	3-SMD, 플랫 리드(Lead)
SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	47,021 재고 있음	1 : ₩920.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩204.38433 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	10A(Ta)	1.5V, 4.5V	15.3m옴 @ 4A, 4.5V	1V @ 1mA	29.9 nC @ 4.5 V	±8V	2600 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	6-UDFNB(2x2)	6-WDFN 노출형 패드
SSM6J511NU,LF MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	33,372 재고 있음	1 : ₩935.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩206.44033 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVII	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	12 V	14A(Ta)	-	9.1m옴 @ 4A, 8V	1V @ 1mA	47 nC @ 4.5 V	-	3350 pF @ 6 V	-	-	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	6-UDFNB(2x2)	6-WDFN 노출형 패드
SSM3K341TU,LF MOSFET N-CH 60V 6A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	49,845 재고 있음	1 : ₩1,041.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩232.82500 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	N채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	6A(Ta)	4V, 10V	36m옴 @ 4A, 10V	2.5V @ 100µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 10 V	-	1.8W(Ta)	175°C	-	-	표면 실장	UFM	3-SMD, 플랫 리드(Lead)

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단일 FET, MOSFET

단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

n채널 MOSFET: 전자가 주요 캐리어입니다.
p채널 MOSFET: 홀이 주요 캐리어입니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.

높은 효율성: 전력 소비가 매우 적고 상태를 빠르게 전환할 수 있어 전력 관리 응용 제품에 매우 효율적입니다.
낮은 온스테이트 저항: MOSFET이 켜졌을 때 저항이 낮아 전력 손실과 열 발생을 최소화합니다.
높은 입력 임피던스: 절연 게이트 구조로 인해 매우 높은 입력 임피던스가 발생하므로 고임피던스 신호 증폭에 이상적입니다.

단일 FET, 특히 MOSFET은 최신 전자공학의 기본 부품이며, 낮은 전력 신호 증폭부터 고전력 스위칭 및 제어에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 효율성, 속도 및 다목적성을 제공합니다.

단일 FET, MOSFET

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