P채널 단일 FET, MOSFET

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제조업체 부품 번호	주문 가능 수량	가격	계열	포장	제품 현황	FET 유형	기술	드레인 - 소스 전압(Vdss)	전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(th)(최대) @ Id	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	FET 특징	내전력(최대)	작동 온도	등급	인증	실장 유형	공급 장치 패키지	패키지/케이스
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	127,425 재고 있음	1 : ₩352.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩65.73333 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	130mA(Ta)	5V	10옴 @ 100mA, 5V	2V @ 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	69,447 재고 있음	1 : ₩413.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩83.97200 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	460mA(Ta)	1.8V, 4.5V	700m옴 @ 350mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-523	SOT-523
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	1,096,420 재고 있음	1 : ₩428.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩86.80533 테이프 및 릴(TR)	SIPMOS®	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	170mA(Ta)	4.5V, 10V	8옴 @ 170mA, 10V	2V @ 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	53,212 재고 있음	1 : ₩428.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩88.91500 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	130mA(Ta)	5V	10옴 @ 100mA, 5V	2V @ 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	200mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-323	SC-70, SOT-323
PMF170XP,115 MOSFET P-CH 20V 1A SOT323 Nexperia USA Inc.	19,448 재고 있음	1 : ₩428.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩88.77233 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	1A(Ta)	4.5V	200m옴 @ 1A, 4.5V	1.15V @ 250µA	3.9 nC @ 4.5 V	±12V	280 pF @ 10 V	-	290mW(Ta), 1.67W(Tc)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	28,508 재고 있음	1 : ₩474.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩90.48967 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	130mA(Ta)	5V	10옴 @ 100mA, 5V	2V @ 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	16,144 재고 있음	1 : ₩474.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩99.83567 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	3A(Ta)	2.5V, 4.5V	120m옴 @ 2.8A, 4.5V	1.2V @ 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1.5W(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	514,362 재고 있음	1 : ₩520.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩107.95367 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	600mA(Ta)	1.8V, 4.5V	900m옴 @ 430mA, 4.5V	1V @ 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	77,136 재고 있음	1 : ₩520.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩93.74988 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	200mA(Ta)	1.2V, 4.5V	1.2옴 @ 200mA, 4.5V	1V @ 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VMT3	SOT-723
NX2301P,215 MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Nexperia USA Inc.	13,594 재고 있음	1 : ₩535.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩110.89400 테이프 및 릴(TR)	TrenchMOS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	기존 설계 전용	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2A(Ta)	2.5V, 4.5V	120m옴 @ 1A, 4.5V	1.1V @ 250µA	6 nC @ 4.5 V	±8V	380 pF @ 6 V	-	400mW(Ta), 2.8W(Tc)	150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	115,424 재고 있음	1 : ₩566.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩113.25867 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	50 V	130mA(Ta)	4.5V, 10V	8옴 @ 150mA, 10V	2V @ 250µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	73 pF @ 25 V	-	225mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3441_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	17,869 재고 있음	1 : ₩566.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩117.90600 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	40 V	3.1A(Ta)	4.5V, 10V	88m옴 @ 3.1A, 10V	2.5V @ 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	505 pF @ 20 V	-	1.25W(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	4,773 재고 있음	1 : ₩596.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩126.90567 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	198,370 재고 있음	1 : ₩612.00000 컷 테이프(CT) 8,000 : ₩112.38588 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	800mA(Ta)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	VESM	SOT-723
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	35,159 재고 있음	1 : ₩612.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩129.48933 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	6A(Ta)	1.8V, 10V	42m옴 @ 5A, 10V	1.2V @ 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
BSS314PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Infineon Technologies	11,485 재고 있음	1 : ₩612.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩129.48933 테이프 및 릴(TR)	OptiMOS™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	1.5A(Ta)	4.5V, 10V	140m옴 @ 1.5A, 10V	2V @ 6.3µA	2.9 nC @ 10 V	±20V	294 pF @ 15 V	-	500mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTS4173PT1G MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 onsemi	9,116 재고 있음	1 : ₩627.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩124.85700 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	1.2A(Ta)	2.5V, 10V	150m옴 @ 1.2A, 10V	1.5V @ 250µA	10.1 nC @ 10 V	±12V	430 pF @ 15 V	-	290mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SC-70-3(SOT323)	SC-70, SOT-323
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	1,113 재고 있음	1 : ₩627.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩134.61600 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	4.3A(Ta)	1.8V, 4.5V	45m옴 @ 4A, 4.5V	1V @ 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	4,156 재고 있음	1 : ₩642.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩136.65933 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	3.3A(Ta)	1.8V, 10V	72m옴 @ 4.2A, 10V	1.3V @ 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Infineon Technologies	31,534 재고 있음	1 : ₩657.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩141.07767 테이프 및 릴(TR)	SIPMOS®	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	330mA(Ta)	4.5V, 10V	2옴 @ 330mA, 10V	2V @ 80µA	3.57 nC @ 10 V	±20V	78 pF @ 25 V	-	360mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	자동차	AEC-Q101	표면 실장	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3403 MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3,777 재고 있음	1 : ₩673.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩144.75700 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	기존 설계 전용	P채널	MOSFET(금속 산화물)	30 V	2.6A(Ta)	2.5V, 10V	115m옴 @ 2.6A, 10V	1.4V @ 250µA	7.2 nC @ 10 V	±12V	315 pF @ 15 V	-	1.4W(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 변형
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	282,399 재고 있음	1 : ₩688.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩139.97700 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	6A(Ta)	1.5V, 4.5V	29.8m옴 @ 3A, 4.5V	1V @ 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)
CSD25481F4 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	137,494 재고 있음	1 : ₩688.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩149.77133 테이프 및 릴(TR)	NexFET™	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	2.5A(Ta)	1.8V, 4.5V	88m옴 @ 500mA, 8V	1.2V @ 250µA	0.913 nC @ 4.5 V	-12V	189 pF @ 10 V	-	500mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	3-PICOSTAR (1x0.60)	3-XFDFN
NTR4101PT1G MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 onsemi	127,626 재고 있음	1 : ₩688.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩140.67500 테이프 및 릴(TR)	-	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	20 V	1.8A(Ta)	1.8V, 4.5V	85m옴 @ 1.6A, 4.5V	1.2V @ 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±8V	675 pF @ 10 V	-	420mW(Ta)	-55°C ~ 150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23-3(TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	76,174 재고 있음	1 : ₩688.00000 컷 테이프(CT) 3,000 : ₩149.77133 테이프 및 릴(TR)	U-MOSVI	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	활성	P채널	MOSFET(금속 산화물)	60 V	2A(Ta)	4V, 10V	300m옴 @ 1A, 10V	2V @ 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W(Ta)	150°C(TJ)	-	-	표면 실장	SOT-23F	SOT-23-3 플랫 리드(Lead)

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단일 FET, MOSFET

단일 전계 효과 트랜지스터(FET)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)는 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

단일 FET는 게이트 단자에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장을 통해 소스와 드레인 단자 사이의 전류 흐름을 제어하여 작동합니다. FET의 주요 장점은 높은 입력 임피던스로, 신호 증폭 및 아날로그 회로에 사용하기에 이상적입니다. 전자 회로의 증폭기, 발진기, 버퍼 단계와 같은 응용 분야에서 널리 사용됩니다.

FET의 한 종류인 MOSFET은 얇은 산화물층에 의해 게이트 단자가 채널로부터 절연되어 있어 성능을 향상하고 효율을 높입니다. MOSFET은 다음 두 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

n채널 MOSFET: 전자가 주요 캐리어입니다.
p채널 MOSFET: 홀이 주요 캐리어입니다.

MOSFET은 낮은 전력 소비, 고속 스위칭 및 대용량 전류와 전압을 처리하는 성능 덕분에 많은 응용 분야에서 사용됩니다. 전원 공급 장치, 모터 구동기, 무선 주파수 응용 제품을 포함한 디지털 및 아날로그 회로에서 매우 중요합니다.

MOSFET의 작동은 두 가지 모드로 분류할 수 있습니다.

인핸스먼트 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 꺼집니다. 켜지려면 n채널에서는 양의 게이트-소스 전압이, p채널에서는 음의 게이트-소스 전압이 필요합니다.
공핍 모드: 이 모드에서 게이트-소스 전압이 0일 때 MOSFET은 상시 켜집니다. 역극성의 게이트-소스 전압을 인가하면 끌 수 있습니다.

MOSFET은 다음과 같은 여러 가지 장점을 제공합니다.