PHB18NQ10T,118은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

유사


onsemi
재고 있음: 22
단가 : ₩7,950.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 34
단가 : ₩4,907.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 634
단가 : ₩6,757.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 1,324
단가 : ₩5,060.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 100
단가 : ₩3,776.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 1,102
단가 : ₩5,167.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 879
단가 : ₩5,152.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩5,641.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 8,439
단가 : ₩4,831.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 6,994
단가 : ₩3,516.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩4,709.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩5,978.00000
규격서
N채널 100 V 18A(Tc) 79W(Tc) 표면 실장 D2PAK
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PHB18NQ10T,118

DigiKey 제품 번호
PHB18NQ10T,118-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
PHB18NQ10T,118
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 18A(Tc) 79W(Tc) 표면 실장 D2PAK
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 1mA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
21 nC @ 10 V
계열
Vgs(최대)
±20V
포장
테이프 및 릴(TR)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
633 pF @ 25 V
부품 현황
단종
내전력(최대)
79W(Tc)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
기술
실장 유형
표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
공급 장치 패키지
D2PAK
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
90m옴 @ 9A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(12)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
FDB047N10onsemi22FDB047N10CT-ND₩7,950.00000유사
FDB120N10onsemi34FDB120N10CT-ND₩4,907.00000유사
FDB3632onsemi634FDB3632CT-ND₩6,757.00000유사
FDB3682onsemi1,324FDB3682FSCT-ND₩5,060.00000유사
FQB33N10LTMonsemi100FQB33N10LTMCT-ND₩3,776.00000유사
단종
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