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Nexperia USA Inc.
재고 있음: 11,140
단가 : ₩3,382.00000
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유사


Infineon Technologies
재고 있음: 7,230
단가 : ₩3,645.00000
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유사


Infineon Technologies
재고 있음: 5,979
단가 : ₩3,830.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 4,934
단가 : ₩3,212.00000
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유사


STMicroelectronics
재고 있음: 47
단가 : ₩3,120.00000
규격서
N채널 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta), 150W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
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N채널 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta), 150W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
TO-263-3

IRF540SPBF

DigiKey 제품 번호
IRF540SPBF-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IRF540SPBF
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임
33주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta), 150W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
IRF540SPBF 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
77m옴 @ 17A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
3.7W(Ta), 150W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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튜브
수량 단가 총액
1₩4,448.00000₩4,448
50₩2,199.84000₩109,992
100₩1,982.24000₩198,224
500₩1,600.30800₩800,154
1,000₩1,477.58900₩1,477,589
2,000₩1,374.40800₩2,748,816
5,000₩1,335.52000₩6,677,600
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.