Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 4865 KRW
Availability: InStock

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FQB55N10TM
DigiKey 제품 번호	FQB55N10TMTR-ND - 테이프 및 릴(TR) FQB55N10TMCT-ND - 컷 테이프(CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	FQB55N10TM
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 55A(Tc) 3.75W(Ta), 155W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	FQB55N10TM 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	QFET®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	55A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	26m옴 @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±25V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2730 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	3.75W(Ta), 155W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-263(D2PAK)
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	FQB55N10