FDB120N10 onsemi | 이산 반도체 제품

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FDB120N10
DigiKey 제품 번호	FDB120N10TR-ND - 테이프 및 릴(TR) FDB120N10CT-ND - 컷 테이프(CT)
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	FDB120N10
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 74A(Tc) 170W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	PowerTrench®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	74A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	12m옴 @ 74A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	5605 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	170W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-263(D2PAK)
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	FDB120