650V 및 1,200V 3세대 실리콘 카바이드 MOSFET

고효율 전원 공급 장치 응용 제품을 위해 설계된 기술인 Toshiba의 SiC

Toshiba의 650V 및 1200V 3세대 실리콘 카바이드 MOSFET 이미지Toshiba의 3세대 650V 및 1200V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 400V 및 800VAC 입력 AC/DC 전원 공급 장치, 광발전(PV) 인버터 및 무정전 전원 공급 장치(UPS)용 양방향 DC/DC 컨버터와 같은 고전력 산업용 응용 제품을 위해 설계되었습니다.

이 MOSFET은 장치가 더 높은 전압 저항, 더 빠른 스위칭 및 더 낮은 온 저항을 제공할 수 있도록 하는 SiC 기술로 인해 전력 소비를 줄이고 전력 밀도를 개선하는 데 도움이 됩니다. Toshiba의 3세대 칩 설계는 향상된 신뢰성을 제공합니다. 650V 제품은 4,850pF(통상)의 입력 정전 용량(CISS), 128nC(통상)의 낮은 게이트 입력 전하(Qg) 및 15mΩ(통상)의 드레인-소스 온 저항(RDS(ON))을 특징으로 합니다.

또한 1,200V 제품은 유사하게 낮은 6000pF(통상)의 입력 정전 용량(CISS), 158nC(통상)의 낮은 게이트 입력 전하(Qg) 및 15mΩ(통상)의 드레인-소스 온 저항(RDS(ON))을 특징으로 합니다.

650V 및 1,200V SiC MOSFET은 모두 업계 표준 3-리드 TO-247 패키지로 제공됩니다.

특징
  • 낮은 RON, RONQgd
    • RON*Qgd는 Toshiba의 2세대에서 3세대로 80% 감소
    • 경쟁 RON*Qgd 및 스위칭 성능
  • 낮은 VF
    • 매우 낮은 VF를 제공하는 내장형 쇼트키 배리어 다이오드 기술
    • 업데이트된 셀 설계로 높은 신뢰성
  • 와이드 VGSS 등급은 설계 신뢰성을 개선하고 설계를 더 쉽게 만드는 데 도움
  • VGSS: -10V ~ 25V(권장: 18V)
  • 낮은 저항 및 높은 게이트 임계 전압(Vth)은 우발적인 전원 켜기와 같은 오작동을 방지하는 데 도움
응용 분야
  • 산업 모터 구동기
  • 배터리 충전기
  • AC/DC 및 DC/DC 컨버터
  • 역률 보정 회로
  • 에너지 저장 시스템
  • 태양 에너지
  • 무정전 전원 공급 장치(UPS)

650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs

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게시 날짜: 2022-07-26
업데이트: 2025-08-06