Name: TW015Z120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015Z120C,S1F-ND
Price: 120561 KRW
Availability: OutOfStock

N채널 1200 V 100A(Tc) 431W(Tc) 스루홀 TO-247-4L(X)

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TW015Z120C,S1F
DigiKey 제품 번호	264-TW015Z120C,S1F-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TW015Z120C,S1F
제품 요약	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
제조업체 표준 리드 타임	24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 100A(Tc) 431W(Tc) 스루홀 TO-247-4L(X)
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 11.7mA
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 158 nC @ 18 V
포장 튜브	Vgs(최대) +25V, -10V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6000 pF @ 800 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 431W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 175°C
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 100A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-247-4L(X)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V	패키지/케이스 TO-247-4
Rds On(최대) @ Id, Vgs 21m옴 @ 50A, 18V