Name: TW027N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027N65CS1F-ND
Price: 40614 KRW
Availability: InStock

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TW027N65C,S1F
DigiKey 제품 번호	264-TW027N65CS1F-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TW027N65C,S1F
제품 요약	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
제조업체 표준 리드 타임	24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 58A(Tc) 156W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	58A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	37m옴 @ 29A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	5V @ 3mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	65 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+25V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2288 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	156W(Tc)
작동 온도	175°C
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247
패키지/케이스	TO-247-3