Name: TW048Z65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW048Z65C,S1F-ND
Price: 27428 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

TW048Z65C,S1F
DigiKey 제품 번호	264-TW048Z65C,S1F-ND
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
제조업체 제품 번호	TW048Z65C,S1F
제품 요약	G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 48
제조업체 표준 리드 타임	24주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 40A(Tc) 132W(Tc) 스루홀 TO-247-4L(X)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Toshiba Semiconductor and Storage
계열	-
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	40A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	69m옴 @ 20A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	5V @ 1.6mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	41 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+25V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1362 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	132W(Tc)
작동 온도	175°C
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247-4L(X)
패키지/케이스	TO-247-4