STMicroelectronics

STPOWER SiC MOSFET

자동차 및 산업용 응용 제품을 위해 특별히 설계된 STMicroelectronics의 최첨단 MOSFET 패키지

STMicroelectronics STPOWER SiC MOSFET 이미지(확대하려면 클릭)STMicroelectronics의 STPOWER SiC MOSFET은 전기/하이브리드 차량용 인버터, 태양광 또는 풍력 발전, 고효율 구동, 전원 공급 장치 및 스마트 그리드 장비와 같은 광범위한 에너지에 민감한 응용 제품에 와이드 밴드갭 재료의 고급 효율성과 신뢰성을 제공합니다. 650V ~ 1700V의 확장된 전압 범위에서 이 MOSFET은 면적 성능 지수당 매우 낮은 온스테이트 저항 RDS(ON)과 결합된 우수한 스위칭 성능을 제공합니다 ST SiC MOSFET을 사용하면 그 어느 때보다 효율적이고 콤팩트한 시스템을 설계할 수 있습니다. ST의 1200V SiC MOSFET은 전력 전자 시스템의 향상된 열 설계를 위해 +200°C의 뛰어난 온도 정격을 나타냅니다. 실리콘 MOSFET에 비해 SiC MOSFET은 온도에 대한 변화를 최소화하면서 스위칭 손실을 크게 줄였습니다.

주요 특징

  • 자동차 등급(AG) 인증 장치
  • 초고온 취급 능력(최대 TJ = +200°C)
  • 매우 낮은 스위칭 손실(온도에 대한 최소 변동)을 통해 매우 높은 스위칭 주파수에서 작동 가능
  • 온도에 걸쳐 낮은 온스테이트 저항
  • 간단한 구동
  • 매우 빠르고 견고한 자체적 바디 다이오드

Gen 3

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE430 - 즉시$19,185.00세부 정보 보기
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT055HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE0 - 즉시$19,035.00세부 정보 보기
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT060HU75G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE501 - 즉시$19,185.00세부 정보 보기
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 65084 - 즉시$12,891.00세부 정보 보기
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040W65G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE5 - 즉시$18,884.00세부 정보 보기

Gen 2

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247SCTW40N120G2VAGSICFET N-CH 1200V 33A HIP247332 - 즉시$25,902.00세부 정보 보기
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120SCTWA60N120G2-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120221 - 즉시$26,610.00세부 정보 보기
SICFET N-CH 650V 100A HIP247SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247387 - 즉시$51,939.00세부 정보 보기
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7SCTH90N65G2V-7SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7474 - 즉시$36,082.00세부 정보 보기
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247438 - 즉시$49,018.00세부 정보 보기

Gen 1

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2SCT20N120HSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-20 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
HIP247 IN LINESCT1000N170HIP247 IN LINE348 - 즉시$13,373.00세부 정보 보기
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120SICFET N-CH 1200V 12A HIP2470 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247SCT50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247230 - 즉시$41,307.00세부 정보 보기
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120AGSICFET N-CH 1200V 12A HIP2470 - 즉시$13,854.00세부 정보 보기
업데이트: 2024-11-22
게시 날짜: 2015-02-19

Related Product Highlight

SCT055HU65G3AG 자동차용 실리콘 카바이드 전력 MOSFET 이 실리콘 카바이드 STPOWER MOSFET 장치는 STMicroelectronics의 혁신적인 첨단 3세대 SiC MOSFET 기술을 사용하여 개발되었습니다.
HB2 계열 650V IGBT STMicro의 IGBT 650V HB2 계열은 낮은 전류 값에서의 VCE(포화) 동작의 향상에 따라 전도성 측면에서 최적화되었습니다.
전력 MOSFET STMicroelectronics의 전력 MOSFET은 스위치 모드 전원 공급 장치, 조명, DC-DC 컨버터, 모터 제어 및 자동차를 포함한 응용 제품을 위해 설계되었습니다.

Related Articles and Blogs

운송 업계를 재성형하는 와이드 밴드갭 반도체 전기 자동차 및 하이브리드 자동차, 그리고 환경에 더 좋은 대중교통 솔루션으로 운송 부문 전체가 급진적인 변화를 겪고 있습니다.
항공 우주 및 위성 응용 분야의 와이드 밴드갭 반도체 와이드 밴드갭 반도체는 출력 밀도 및 효율성 증가, 시스템 크기 및 무게 감소 등 전력 변환의 측면에서 다양한 이점을 제공합니다.
2023 May be the Year You Try Silicon Carbide: Here’s Why Silicon carbide is coming down in cost and can support the development of smaller and more efficient power conversion solutions compared with silicon.

Related Product Training Modules

ST MOSFETs To give users a quick overview of basic MOSFET parameters and fundamentals.
Silicon Carbide MOSFET Ideal for improving the performance of high power systems that traditionally have relied on IGBTs as power switches, explore STMicroelectronics Silicon Carbide MOSFET technology.