Name: SCTW70N120G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW70N120G2V-ND
Price: 53248 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.9V @ 1mA
제조업체 STMicroelectronics	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 150 nC @ 18 V
포장 튜브	Vgs(최대) +22V, -10V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3540 pF @ 800 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 547W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 200°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 91A(Tc)	공급 장치 패키지 HiP247™
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V	패키지/케이스 TO-247-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 30m옴 @ 50A, 18V	기준 제품 번호 SCTW70