TO-247-3
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SCTW100N65G2AG

DigiKey 제품 번호
497-SCTW100N65G2AG-ND
제조업체
STMicroelectronics
제조업체 제품 번호
SCTW100N65G2AG
제품 요약
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 100A(Tc) 420W(Tc) 스루홀 HiP247™
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
SCTW100N65G2AG 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
STMicroelectronics
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
26m옴 @ 50A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
162 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3315 pF @ 520 V
FET 특징
-
내전력(최대)
420W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 200°C(TJ)
등급
자동차
인증
AEC-Q101
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
HiP247™
패키지/케이스
TO-247-3
기준 제품 번호
SCTW100
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재고: 471
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩42,177.00000₩42,177
30₩33,840.60000₩1,015,218
120₩33,485.40000₩4,018,248
제조업체 표준 포장
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