SCT20N120H STMicroelectronics | 이산 반도체 제품

SCT20N120H
DigiKey 제품 번호	497-SCT20N120HTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 497-SCT20N120HCT-ND - 컷 테이프(CT) 497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	STMicroelectronics
제조업체 제품 번호	SCT20N120H
제품 요약	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1200 V 20A(Tc) 175W(Tc) 표면 실장 H2PAK-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SCT20N120H 모델

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	STMicroelectronics
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	20A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	290m옴 @ 10A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id	3.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs(최대)	+25V, -10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	650 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	175W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 200°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	H2PAK-2
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	SCT20