Name: SCT1000N170
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT1000N170-ND
Price: 14539 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 1mA
제조업체 STMicroelectronics	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 13.3 nC @ 20 V
포장 튜브	Vgs(최대) +22V, -10V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 133 pF @ 1000 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 96W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 200°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1700 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 7A(Tc)	공급 장치 패키지 HiP247™
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V	패키지/케이스 TO-247-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.3옴 @ 3A, 20V	기준 제품 번호 SCT1000