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등가 파라미터


Vishay Siliconix
재고 있음: 9
단가 : ₩4,449.00000
규격서

등가 파라미터


Vishay Siliconix
재고 있음: 1,027
단가 : ₩4,755.00000
규격서

유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩631.34560
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 60
단가 : ₩5,825.00000
규격서
N채널 100 V 35A(Tc) 8.3W(Ta), 83W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
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SUD35N10-26P-T4GE3

DigiKey 제품 번호
SUD35N10-26P-T4GE3-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
SUD35N10-26P-T4GE3
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 35A(Tc) 8.3W(Ta), 83W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
7V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
26m옴 @ 12A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2000 pF @ 12 V
FET 특징
-
내전력(최대)
8.3W(Ta), 83W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-252AA
패키지/케이스
기준 제품 번호
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