종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.4V @ 250µA
제조업체 Vishay Siliconix	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 47 nC @ 10 V
계열 TrenchFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2000 pF @ 12 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 8.3W(Ta), 83W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 TO-252AA
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 35A(Tc)	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 7V, 10V	기준 제품 번호 SUD35
Rds On(최대) @ Id, Vgs 26m옴 @ 12A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
SUD35N10-26P-E3	Vishay Siliconix	9	SUD35N10-26P-E3CT-ND	₩4,543.00000	등가 파라미터
SUD35N10-26P-GE3	Vishay Siliconix	1,017	SUD35N10-26P-GE3CT-ND	₩4,855.00000	등가 파라미터
AOD464	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1567-2-ND	₩644.27240	유사
AUIRFR540ZTRL	Infineon Technologies	60	448-AUIRFR540ZTRLCT-ND	₩6,947.00000	유사

SUD35N10-26P-T4GE3