SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix | 단일 FET, MOSFET

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

SUD35N10-26P-E3
DigiKey 제품 번호	SUD35N10-26P-E3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SUD35N10-26P-E3CT-ND - 컷 테이프(CT) SUD35N10-26P-E3DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Vishay Siliconix
제조업체 제품 번호	SUD35N10-26P-E3
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 35A TO252
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 35A(Tc) 8.3W(Ta), 83W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Vishay Siliconix
계열	TrenchFET®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	35A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	7V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	26m옴 @ 12A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2000 pF @ 12 V
FET 특징	-
내전력(최대)	8.3W(Ta), 83W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-252AA
패키지/케이스	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호	SUD35