
SIS932EDN-T1-GE3 | |
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DigiKey 제품 번호 | SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - 컷 테이프(CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIS932EDN-T1-GE3 |
제품 요약 | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 |
제조업체 표준 리드 타임 | 49주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 30V 6A(Tc) 2.6W(Ta), 23W(Tc) 표면 실장 PowerPAK® 1212-8 이중 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SIS932EDN-T1-GE3 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 10A, 4.5V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 1000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.6W(Ta), 23W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩1,385.00000 | ₩1,385 |
| 10 | ₩858.40000 | ₩8,584 |
| 100 | ₩557.79000 | ₩55,779 |
| 500 | ₩428.34400 | ₩214,172 |
| 1,000 | ₩386.60000 | ₩386,600 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 3,000 | ₩333.56633 | ₩1,000,699 |
| 6,000 | ₩306.85383 | ₩1,841,123 |
| 9,000 | ₩293.24444 | ₩2,639,200 |
| 15,000 | ₩277.95367 | ₩4,169,305 |
| 21,000 | ₩268.90138 | ₩5,646,929 |
| 30,000 | ₩266.92433 | ₩8,007,730 |









