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광절연기 - 트랜지스터, 광발전 출력
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비교 | 제조업체 부품 번호 | 가격 | 재고 | 제조업체 | 제조업체 | 최소 수량 | DK 부품 번호 | 계열 | 포장 | 제품 현황 | 채널 개수 | 전압 - 분리 | 전류 전달비(최소) | 전류 전달비(최대) | 턴온/턴오프 시간(통상) | 상승/하강 시간(통상) | 입력 유형 | 출력 유형 | 전압 - 출력(최대) | 전류 - 출력/채널 | 전압 - 순방향(Vf)(통상) | 전류 - DC 순방향(If)(최대) | Vce 포화(최대) | 작동 온도 | 실장 유형 | 패키지/케이스 | 공급 장치 패키지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
₩3,980.00000 | 8,809 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | 264-TLX9185A(GBTPLFTR-ND 264-TLX9185A(GBTPLFCT-ND 264-TLX9185A(GBTPLFDKR-ND | Automotive, AEC-Q101 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 5µs, 5µs | 3µs, 5µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.27V | 30 mA | 400mV | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SOP | ||
₩4,640.00000 | 4,719 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | 264-TLX9906(TPLFTR-ND 264-TLX9906(TPLFCT-ND 264-TLX9906(TPLFDKR-ND | Automotive, AEC-Q101 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | - | - | 200µs, 200µs | - | DC | 광전도 | 7V | - | 1.65V | 30 mA | - | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SOP | ||
₩716.00000 | 2,268 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP785(GR-TP6F)TR-ND TLP785(GR-TP6F)CT-ND TLP785(GR-TP6F)DKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.15V | 60 mA | 400mV | -55°C ~ 110°C | 표면 실장 | 4-SMD, 갈매기날개형 | 4-SMD | ||
₩716.00000 | 6,532 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP785(GBF)-ND | - | 튜브 | 활성 | 1 | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.15V | 60 mA | 400mV | -55°C ~ 110°C | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | 4-DIP | ||
₩716.00000 | 3,649 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP785(GRF)-ND | - | 튜브 | 활성 | 1 | 5000Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.15V | 60 mA | 400mV | -55°C ~ 110°C | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | 4-DIP | ||
₩716.00000 | 3,785 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP785(BLF)-ND | - | 튜브 | 활성 | 1 | 5000Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.15V | 60 mA | 400mV | -55°C ~ 110°C | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | 4-DIP | ||
₩716.00000 | 1,457 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP785(F)-ND | - | 튜브 | 활성 | 1 | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.15V | 60 mA | 400mV | -55°C ~ 110°C | 스루홀 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | 4-DIP | ||
₩4,778.00000 | 3,219 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | 264-TLX9309(TPLFTR-ND 264-TLX9309(TPLFCT-ND 264-TLX9309(TPLFDKR-ND | Automotive, AEC-Q101 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 15% @ 7mA | 300% @ 7mA | - | - | DC | 트랜지스터 | - | 25mA | 1.6V | 15 mA | - | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5 리드 | 6-SO, 5리드(Lead) | ||
₩4,558.00000 | 589 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP591B(CF)-ND | - | 튜브 | 활성 | 1 | 2500Vrms | - | - | 200µs, 3ms | - | DC | 광전도 | 7V | 24µA | 1.4V | 50 mA | - | -55°C ~ 125°C | 스루홀 | 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5 리드(Lead) | 6-DIP, 5리드(Lead) | ||
₩2,713.00000 | 2,740 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP109(IGM-TPRETR-ND TLP109(IGM-TPRECT-ND TLP109(IGM-TPREDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | 450ns, 450ns | - | DC | 트랜지스터 | 20V | 8mA | 1.64V | 20 mA | - | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5 리드 | 6-SO, 5리드(Lead) | ||
₩716.00000 | 1,593 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP292(TPLETR-ND TLP292(TPLECT-ND TLP292(TPLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | AC, DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) | 4-SO | ||
₩854.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP383(D4BLLTLETR-ND TLP383(D4BLLTLECT-ND TLP383(D4BLLTLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 5000Vrms | 200% @ 500µA | 400% @ 500µA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SO, 4 리드(Lead) | ||
₩1,226.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP387(D4-TPLETR-ND TLP387(D4-TPLECT-ND TLP387(D4-TPLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 5000Vrms | 1000% @ 1mA | - | 50µs, 15µs | 40µs, 15µs | DC | 달링턴 | 300V | 150mA | 1.25V | 50 mA | 1V | -55°C ~ 110°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SO, 4 리드(Lead) | ||
₩3,980.00000 | 2,428 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | 264-TLX9300(TPLFTR-ND 264-TLX9300(TPLFCT-ND 264-TLX9300(TPLFDKR-ND | Automotive, AEC-Q101 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 100% @ 5mA | 900% @ 5mA | 15µs, 50µs | - | DC | 트랜지스터 | 40V | 50mA | 1.25V | 30 mA | 400mV | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SOP | ||
₩5,935.00000 | 218 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | 264-TLX9175J(TPLFTR-ND 264-TLX9175J(TPLFCT-ND 264-TLX9175J(TPLFDKR-ND | Automotive, AEC-Q101 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | - | - | 200µs, 200µs | - | DC | MOSFET | - | - | 1.65V | 25 mA | - | -55°C ~ 105°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SOP | ||
₩1,845.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP109(E-ND | - | 튜브 | 활성 | 1 | 3750Vrms | 20% @ 16mA | - | 800ns, 800ns(최대) | - | DC | 트랜지스터 | 20V | 8mA | 1.64V | 20 mA | - | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5 리드 | 6-SO, 5리드(Lead) | ||
₩4,778.00000 | 502 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | 264-TLX9376(TPLFTR-ND 264-TLX9376(TPLFCT-ND 264-TLX9376(TPLFDKR-ND | Automotive, AEC-Q101 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | - | - | - | 2ns, 2ns | DC | 논리 | - | 10mA | 1.57V | 25 mA | - | -40°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5 리드 | 6-SO, 5리드(Lead) | ||
₩620.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP291(BL-TPSETR-ND TLP291(BL-TPSECT-ND TLP291(BL-TPSEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 110°C | 표면 실장 | 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) | 4-SO | ||
₩620.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP291(GB-TPSETR-ND TLP291(GB-TPSECT-ND TLP291(GB-TPSEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 110°C | 표면 실장 | 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) | 4-SO | ||
₩620.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP291(GR-TPSETR-ND TLP291(GR-TPSECT-ND TLP291(GR-TPSEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 110°C | 표면 실장 | 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) | 4-SO | ||
₩799.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP183(BL-TPLETR-ND TLP183(BL-TPLECT-ND TLP183(BL-TPLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SOP | ||
₩799.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP183(GB-TPLETR-ND TLP183(GB-TPLECT-ND TLP183(GB-TPLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SOP | ||
₩799.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP183(TPLETR-ND TLP183(TPLECT-ND TLP183(TPLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 | 6-SOP | ||
₩812.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP293(BL-TPLETR-ND TLP293(BL-TPLECT-ND TLP293(BL-TPLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) | 4-SO | ||
₩812.00000 | 0 - 즉시 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 | TLP293(GB-TPLETR-ND TLP293(GB-TPLECT-ND TLP293(GB-TPLEDKR-ND | - | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | 활성 | 1 | 3750Vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 2µs, 3µs | DC | 트랜지스터 | 80V | 50mA | 1.25V | 50 mA | 300mV | -55°C ~ 125°C | 표면 실장 | 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) | 4-SO |
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