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SIHP12N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 제품 번호 | SIHP12N60E-GE3-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | SIHP12N60E-GE3 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
제조업체 표준 리드 타임 | 15주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) 스루홀 TO-220AB |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | SIHP12N60E-GE3 모델 |
제품 특성
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | ||
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 6A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±30V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 937 pF @ 100 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 147W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
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수량
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튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩5,565.00000 | ₩5,565 |
| 50 | ₩2,795.26000 | ₩139,763 |
| 100 | ₩2,526.49000 | ₩252,649 |
| 500 | ₩2,055.41000 | ₩1,027,705 |
| 1,000 | ₩1,904.07500 | ₩1,904,075 |
| 2,000 | ₩1,776.86300 | ₩3,553,726 |
| 5,000 | ₩1,662.57000 | ₩8,312,850 |
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